[发明专利]一种3.46微米窄带滤光片及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及光学薄膜技术领域，特别涉及一种3.46微米窄带滤光片及其制作方法。

背景技术

窄带滤光片的主要作用是对光进行光谱选择，使需要波长的光通过，不需要波长的光截止，它作为滤光和选择谱线的主要器件，有着广泛的应用。3.46微米波长作为一种特殊气体的光谱波长，现在的技术所提供的3.46微米的窄带滤光片，其信噪比低、精度不高，不能满足市场要求。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种3.46微米窄带滤光片及其制作方法，以获得生产成本低、特性良好、截止区域内截止深度小、透过率大且具有良好信噪比、满足高精度的气体探测仪的敏感性等特点的3.46微米窄带滤光片。

为达到上述目的，本发明的技术方案如下：

本发明提供了一种3.46微米窄带滤光片的制备方法，步骤如下：

以JGS3型号的光学石英玻璃为基板，以Si02和Si为镀膜材料，采用电子束蒸发真空镀方式，在真空度＜10-3pa、温度＜250℃的条件下，加以离子辅助沉积，采用反射光的间接式控制，监控沉积速率以保持其稳定的沉积速率，沉积速率少于/S。

本发明还提供了基于上述制备方法制备的3.46微米窄带滤光片，包括基板，位于所述基板两侧表面的正面膜系与反面膜系，所述基板的材质为JGS3型号的光学石英玻璃，其表面质量大于60/40；所述正面膜系与反面膜系均由镀膜材料SiO2和Si交替沉积而成并分别形成交替的SiO2层与Si层；

所述正面膜系由内而外依次由Si层与SiO2层交替沉积共17层，其中包括9层Si层与8层SiO2层，即最内层及最外层均为Si层，最内层的Si层直接沉积在所述基板的正表面；所述反面膜系由内而外依次由Si层与SiO2层交替沉积共23层，其中包括12层Si层与11层SiO2层，即最内层及最外层均为Si层，最内层的Si层直接沉积在所述基板的反表面。

其中，所述正面膜系由内而外由Si层及SiO2层交替沉积而成，其由内而外的厚度分别为Si层112nm、SiO2层722nm、Si层490nm、SiO2层574nm、Si层245nm、SiO2层574nm、Si层245nm、SiO2层574nm、Si层490nm、SiO2层574nm、Si层245nm、SiO2层574nm、Si层245nm、SiO2层574nm、Si层490nm、SiO2层574nm、Si层245nm。

其中，所述反面膜系由内而外由Si层及SiO2层交替沉积而成，其由内而外的厚度分别为Si层42.99nm、SiO2层247.47nm、Si层94.72nm、SiO2层175.8nm、Si层128.06nm、SiO2层237.84nm、Si层95.1nm、SiO2层242.98nm、Si层53.6nm、SiO2层238.03nm、Si层113.67nm、SiO2层316.57nm、Si层141.11nm、SiO2层372.4nm、Si层145.6nm、SiO2层341.72nm、Si层151.05nm、SiO2层395.08nm、Si层144.14nm、SiO2层294.69nm、Si层170.11nm、SiO2层443.53nm、Si层44.48nm。

通过上述技术方案，本发明提供的3.46微米的窄带滤光片及其制作方法，其方法为以JGS3作为基板，基板的两面，正面采用标准F-P结构进行沉积处理，而反面是一个截止的长波通结构，而长波那面，则可利用JGS3基板的本身截去次峰，这是一种非常优异的方法，可以大大提高产品特性，特别适用于大批量生产，物理特性也满足实际使用要求；基于上述方法制备的3.46微米窄带滤光片，其透过率T＞90％，截止区域的截止深度小于0.1％，获得优异的信噪比，比目前市场上的产品的性能有了大幅度的提高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1为本发明实施例所公开的一种3.46微米窄带滤光片结构示意图；

图2为本发明实施例所公开的一种3.46微米窄带滤光片测量曲线图。

图中数字表示：

11.基板      12.正面膜系      13.反面膜系

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

实施例1：

一种3.46微米窄带滤光片的制备方法，步骤如下：