[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：

薄膜晶体管，包括有源区、源漏极、栅极；

设于所述有源区下方的由导电材料构成的遮光结构；

存储电容，包括间隔且相对设置的第一极片和第二极片；

其特征在于，

所述第一极片与遮光结构同层设置，所述第二极片与有源区、源漏极、栅极中的任意一种同层设置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二极片与源漏极或栅极同层设置。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容还包括：

通过过孔与第一极片相连的第三极片；所述第二极片设于第一极片与第三极片之间，而所述第二极片和第三极片分别与栅极、源漏极、有源区中不同的两个结构同层设置。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在远离阵列基板的基底的方向上，依次设有遮光结构、缓冲层、有源区、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极；且

所述第二极片与栅极同层设置；

所述第三极片与源漏极同层设置。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述遮光结构与第二极片所在层之间设有至少一个减薄绝缘层；

所述第一极片上方没有所述减薄绝缘层，或第一极片上方的所述减薄绝缘层比遮光结构上方的减薄绝缘层的厚度小。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

所述减薄绝缘层为覆盖在遮光结构上的缓冲层；

所述有源区设于缓冲层上。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述有源区由低温多晶硅构成。

8.根据权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板包括位于边缘部的栅极驱动电路，所述存储电容为栅极驱动电路中的存储电容。

9.一种显示装置，其特征在于，包括：

权利要求1至8中任意一项所述的阵列基板。

10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1至8中任意一项所述的阵列基板，所述阵列基板的制备方法包括：

通过构图工艺形成包括所述第一极片和遮光结构的图形；

通过构图工艺形成所述第二极片的图形，并同时形成包括有源区、源漏极、栅极中的任意一种的图形。