[发明专利]一种纳米复合材料γ-Fe2O3/PDA-GA/CuNPs修饰电极、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种纳米复合材料γ-Fe₂O₃/PDA-GA/CuNPs修饰电极，其特征在于，由如下步骤制备：

第一步，将γ-Fe₂O₃/PDA-GA修饰电极放置于含有Cu(NO₃)₂的pH值为3-4.5的醋酸钠/醋酸缓冲液中浸泡后用水充分冲洗，并用N₂吹干，得到γ-Fe₂O₃/PDA-GA-Cu²⁺修饰电极；

第二步，选用恒电位法对上述修饰电极进行还原，还原电位-0.9V，还原时间30s，制得γ-Fe₂O₃/PDA-GA/CuNPs修饰电极。

2.如权利要求1所述的纳米复合材料γ-Fe₂O₃/PDA-GA/CuNPs修饰电极，其特征在于，第一步中，浸泡时间为30min。

3.如权利要求1所述的纳米复合材料γ-Fe₂O₃/PDA-GA/CuNPs修饰电极，其特征在于，第二步中，电解液为0.5M氯化钠溶液，还原使用三电极体系，以饱和甘汞电极为参比电极，铂丝电极为对电极，γ-Fe₂O₃/PDA-GA-Cu²⁺修饰电极作为工作电极。

4.一种纳米复合材料γ-Fe₂O₃/PDA-GA/CuNPs修饰电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，将γ-Fe₂O₃/PDA-GA修饰电极放置于含有Cu(NO₃)₂的pH值为3-4.5的醋酸钠/醋酸缓冲液中浸泡后用水充分冲洗，并用N₂吹干，得到

γ-Fe₂O₃/PDA-GA-Cu²⁺修饰电极；

第二步，选用恒电位法对上述修饰电极进行还原，还原电位-0.9V，还原时间30s，制得γ-Fe₂O₃/PDA-GA/CuNPs修饰电极。

5.如权利要求4所述的纳米复合材料γ-Fe₂O₃/PDA-GA/CuNPs修饰电极的制备方法，其特征在于，第一步中，浸泡时间为30min。

6.如权利要求4所述的纳米复合材料γ-Fe₂O₃/PDA-GA/CuNPs修饰电极的制备方法，其特征在于，第二步中，电解液为0.5M氯化钠溶液，还原使用三电极体系，以饱和甘汞电极为参比电极，铂丝电极为对电极，γ-Fe₂O₃/PDA-GA-Cu²⁺修饰电极作为工作电极。

7.如权利要求1-3任一所述的γ-Fe₂O₃/PDA-GA/CuNPs修饰电极应用于对过氧化氢的检测。

8.如权利要求7所述的应用，包括如下步骤：

将γ-Fe₂O₃/PDA-GA/CuNPs修饰电极置于pH值5.0的缓冲液中，通氮气15min，加入过氧化氢，使用安培时间响应曲线，检测修饰电极对过氧化氢的电化学响应，其中，缓冲液选用0.1M的HAc/NaAc缓冲液，还原电位：-0.15V，过氧化氢浓度范围为1μM～1mM。