[发明专利]用于锗硅填充材料的成形腔

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括硅材料；

腔区域，位于所述衬底内，所述腔区域包括顶部部分和底部部分，所述顶部部分包括以相对于垂直方向呈大约54.74度角为特征的第一侧壁，所述底部部分包括基本上垂直的侧壁；以及

填充材料，至少部分地位于所述腔区域内，所述填充材料包括硅和锗材料。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述填充材料以渐变的浓度梯度为特征。

3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件还包括栅极，所述半导体器件是CMOS器件。

4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件还包括与填充的所述腔区域至少部分地重叠的漏极区域。

5.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件还包括与填充的所述腔区域至少部分地重叠的源极区域。

6.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底基本上包括硅材料；

限定第一开口；

使用第一刻蚀剂，执行第一刻蚀工艺来形成第一开口，所述第一开口包括基本上垂直的侧壁和基本上平坦的底部表面；

使用第二刻蚀剂，执行第二刻蚀工艺来形成第二开口，所述第二开口包括成角度的侧壁和凸起的底部区域；

使用第三刻蚀剂，执行第三刻蚀工艺来将所述第二开口延伸具有底部部分，所述底部部分包括基本上垂直的侧壁；以及

用硅和锗材料填充所述第二开口。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺包括化学刻蚀材料。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二刻蚀剂包括TEMA和/或NH₄OH材料。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括形成多个侧墙，用于限定所述第一开口。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括在所述第二开口附近形成一个或多个栅极区域。

11.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括形成多晶硅侧墙结构。

12.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺以基本上垂直的刻蚀方向为特征。

13.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺以第一刻蚀速率去除所述第一开口的垂直的所述侧壁以及以第二刻蚀速率去除所述底部表面，所述第二速率至少是所述第一速率的两倍。

14.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺以至少240秒的刻蚀时间为特征。

15.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述硅和锗材料以非统一的速率被淀积。

16.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺包括干法刻蚀工艺。

17.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底基本上包括硅材料；

形成覆盖所述衬底的多个侧墙，所述多个侧墙包括第一侧墙和第二侧墙；

通过在所述第一侧墙和所述第二侧墙之间执行刻蚀，形成第一开口；

使用第一刻蚀剂，执行第一刻蚀工艺来形成第一开口，所述第一开口包括基本上垂直的侧壁和基本上平坦的底部表面；

使用第二刻蚀剂，执行第二刻蚀工艺来形成第二开口，所述第二开口包括成角度的侧壁和凸起的底部区域；

使用第三刻蚀剂，执行第三刻蚀工艺来将所述第二开口延伸具有底部部分，所述底部部分包括基本上垂直的侧壁；

移除所述多个侧墙；以及

用硅和锗材料填充成形腔。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括在所述成形腔附近形成栅极区域和源极区域。