[发明专利]双层式负载腔室的独立回填及抽气结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体镀膜沉积设备中双层式负载腔室的独立回填及抽气结构，此结构主要应用于半导体镀膜沉积设备中双层式负载腔室内真空与大气环境互换的实现过程及独立控制，属于半导体薄膜沉积的应用与制备技术领域。

背景技术

现有的半导体镀膜设备对负载腔室的功能性要求越来越高，其中产能是一项重要指标，尤其是双层式负载腔室在实现基板从存储设备到反应模块之间的暂存过程时，要求双层式负载腔室可以独立或者并行实现每一层的大气和真空环境的转换，也就是说上层和下层腔室可单独进行回填或抽气，或者上层抽气下层回填，反之亦然；另外，回填及抽气时间影响着基板沉积的周期，缩短回填或抽气时间可提高设备产能；同时腔室内的颗粒度问题也是影响到工艺结果的关键因素，通过优化设计回填及抽气管路结构，可减少颗粒的产生。

发明内容

本发明以解决上述问题为目的，优化设计了双层式负载腔室的回填及抽气结构，不仅能单独实现每一层腔体的单独或者并行回填与抽气操作，还可有效地缩短回填与抽气时间，而且可降低腔室内的颗粒度。

为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：双层式负载腔室的独立回填及抽气结构，包括下层腔体(1)，上层腔体(2)，上层腔室A(3)，上层腔室B(4)，下层腔室C(5)，下层腔室D(6)，上层回填组件(7)，下层抽气管路(8)，下层回填组件(9)，上层抽气管路(10)，上层抽气管道结构(11)，上层回填管道结构(12)，下层回填管路结构(13)及下层抽气管路结构(14)。上述下层腔体(1)与上层腔体(2)为独立结构，通过定位将两层腔体连接在一起成为双层式负载腔室。所述上层腔体(2)上的抽气管道结构(11)及回填管道结构(12)左右对称，分别连通到上层腔室A(3)、上层腔室B(4)，上层腔室A(3)、上层腔室B(4)通过上层抽气管道结构(11)和上层回填管道结构(12)而连通；所述下层腔体(1)上的抽气管道结构(14)及回填管道结构(13)左右对称，分别连通到下层腔室C(5)、下层腔室D(6)，下层腔室C(5)、下层腔室D(6)通过下层抽气管道结构(14)和下层回填管道结构(13)而连通。所述上层回填组件(7)与上层回填管道结构(12)连接；下层回填组件(9)与下层回填管路结构(13)连接；所述上层抽气管路(10)与上层抽气管道结构(11)连接，下层抽气管道结构(8)与下层抽气管路结构(14)连接。上、下层单独回填，回填位置靠近传片口且位于基板支架下面，能够降低对晶圆上表面的污染，且抽气管路结构对称，上、下层单独抽气，适用于双层机械手传片，提高产能。

本发明的有益效果及特点在于：

1、本发明实现了双层式负载腔室每一层腔体的单独回填及抽气操作或者并行操作，即指上层回填抽气独立，下层回填抽气独立，实现了上下层回填抽气的独立控制；

2、抽气与回填管路结构为对称结构，使每一层腔室同时回填或抽气完成，不存在时间差，且回填组件与抽气组件全部安装于腔体的底部，提高了设备整体的美观；

3、回填位置靠近传片口且位于基板支架下面，减少了颗粒对晶圆上表面的污染，且抽气管路结构的对称，适用于双层机械手传片，提高产能。

附图说明

图1是本发明的主视图；

图2是图1的左视图；

图3是本发明上层负载腔室结构的仰视图；

图4是本发明下层负载腔室结构的仰视图；

图5是本发明下层负载腔室结构的俯视图；

图6是本发明回填与抽气控制原理图。

具体实施方式

实施例