[发明专利]具有来自侧壁的特征的处理室

说明书

技术领域

本发明涉及一种处理室。更具体地说，本发明涉及设计满足与整体的系统效率相关的所需特点的处理室。

背景技术

在处理室的设计中，高度约束会影响那些能够被整合到室中的特点的数量。特征将通常从衬底下方被送入以保持室内部的圆柱对称性。

发明内容

为了实现上述目的并根据本发明的目的，提供了一种处理室装置。该处理室包括具有顶部和侧壁的室壳体。该处理室还具有密封件，该密封件用于将所述室壳体的所述侧壁连接到位于所述处理室下方的下室的顶部。另外，该处理室具有联结到所述室壳体的侧壁的衬底保持器。此外，该处理室具有晶片升降环，该晶片升降环通过延伸穿过所述室壳体的侧壁的侧臂支撑。所述晶片升降环具有竖直竖立的至少三个支柱，每个支柱具有从所述支柱水平地延伸的至少一个指状物。所述晶片升降环在上部位置的指状物的顶部限定第一晶片传运平面。此外，提供了定位在所述处理室下方的下室。所述下室具有至少一个晶片支撑件，其中最低的至少一个晶片支撑件的顶部限定了第二晶片传运平面。此外，所述第一晶片传运平面和所述第二晶片传运平面之间的高度不大于传送臂的最大竖直行程，所述传送臂被配置为从所述第一晶片传运平面和所述第二晶片传运平面传送晶片。

在本发明另一实施方式中，提供了一种处理室装置。该处理室包括具有顶部和侧壁的室壳体。该处理室还具有密封件，该密封件用于将所述室壳体的所述侧壁连接到位于该处理室下方的室的顶部。此外，该处理室具有联结到所述室壳体的侧壁的衬底保持器。

在本发明的进一步的实施方式中，提供了一种处理室。该处理室包括具有顶部和侧壁的室壳体。该处理室还具有密封件，该密封件用于将所述室壳体的侧壁连接到位于该处理室下方的室的顶部。此外，该处理室具有衬底保持器，该衬底保持器联结到所述室壳体的侧壁。该衬底保持器经由具有盘旋部的挠性侧面安装件联结于侧壁。该处理室还具有晶片升降环，该晶片升降环由延伸穿过所述室壳体的侧壁的侧臂支撑。

下面在本发明的详细描述中并结合下面的附图将对本发明的这些和其它特征进行更详细的描述。

附图说明

另外，在附图的附图中，本发明通过示例的方式而不是通过限制的方式示出，并且在这些附图中，相似的附图标记指代类似的要素，其中：

图1是根据本发明的实施方式的处理室的总览图。

图2根据本发明的实施方式示出了处理室的基座部分。

图3根据本发明的实施方式示出了具有图2的基座部分以及具有室壳体的处理室的示意图。

图4根据本发明的实施方式示出了侧面安装的衬底保持器挠性件的透视图。

图5根据本发明的实施方式示出了侧面安装的衬底保持器挠性件的俯视图。

图6根据本发明的实施方式示出了万向连接组件的透视图。

图7根据本发明的实施方式示出了万向连接组件的剖视图。

图8根据本发明的实施方式示出了晶片升降组件。

图9根据本发明的实施方式示出了整合有其它侧面安装的组件的晶片环组件。

图10根据本发明的实施方式示出了沿晶片环设置支柱的特写图，该支柱将由臂的抓紧器啮合。

图11根据本发明的实施方式示出了三端口的排气系统。

图12根据本发明的实施方式示出了处理室和传送臂的总览图。

具体实施方式

现在将参考如在附图中所示的本发明的几个优选实施方式来详细描述本发明。在以下描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的透彻理解。然而，对于本领域技术人员而言，显而易见的是，本发明可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实施。在其它实例中，未详细描述公知的工艺步骤和/或结构以免不必要地使本发明变得难以理解。

在处理室的设计中，能被整合到处理室内的特点的选择通常受高度约束的影响。因此，如果处理室不具有显著的高度，则可能没有足够的竖直空间来安装设施到晶片支撑件。作为将高度约束最小化的方式，本公开内容讨论在处理室的侧壁而不是在底板上提供设施和安装支撑件。在一个实施例中，为了节省更多的竖直空间，省去室底板。在该例中，邻接的室的顶板用作处理室的底板。