[发明专利]类单晶硅铸锭用籽晶拼接结构

说明书

技术领域

本发明涉及类单晶硅铸锭用籽晶拼接结构，属于硅晶体制造领域。

背景技术

近年来，硅单晶和硅多晶广泛应用于光伏太阳能电池、液晶显示等领域。目前类硅单晶的常用制造方法为定向凝固法，该方法在平底坩埚底部铺设长方体籽晶，籽晶规则排列形成籽晶层。硅料置于平底坩埚内，铺设于籽晶层上。通过熔化阶段的温度控制，待硅料熔融后，籽晶从与硅液接触的面开始逐渐熔化，再经定向散热而在未熔化籽晶上实现硅锭的定向生长，获得与籽晶相似或一样的晶粒。

长方体籽晶规则排列的拼接方式下，定向凝固法生长类单晶的过程中，易产生位错源，进而导致后续晶体位错增殖，或形成多晶晶界。经研究表明，晶界导致单晶面积比例下降，位错导致硅片形成大量的缺陷，太阳能电池的光电转换效率降低、使用寿命减短，从而影响光伏器件的性能。

为此，中国发明专利申请CN 103060892 A公开了“一种类单晶硅铸锭用籽晶拼接方法”，将籽晶传统的竖直拼接面改为带有倾斜角度或弧度的拼接面。采用拼接面切向与平底坩埚底部平面的法线方向，二者不重合的籽晶拼接方式，通过改变籽晶的形状来减少位错源，甚至减少多晶晶界产生，实现全单晶，位错源少的类单晶生长。进而减少了硅片的位错缺陷，提高了单晶面积比例，提高了太阳能电池的光电转换效率、延长了电池的寿命，从而提高了光伏器件的性能。

然而发明人经过实验发现，上述方法仍在存在缺陷。虽然斜面拼接一定程度上减少了间隙的产生，但是由于斜面光滑使得该籽晶拼接方式在籽晶拼接和硅料装填过程中，可能因压力导致籽晶拼接变形，从而影响后续单晶铸锭质量，对籽晶的拼接提出了很高的技术要求，工艺容差性能变差。同时，在加热过程中紧致排列的籽晶受热膨胀，可能会翘起，籽晶之间的拼接缝隙会变大，导致后续晶体位错增殖，或形成多晶晶界。

发明内容

本发明的目的在于：克服上述现有技术的缺陷，提出一种类单晶硅铸锭用籽晶拼接结构。

为了达到上述目的，本发明提出的类单晶硅铸锭用籽晶拼接结构，包括互相拼接的籽晶块，其特征在于：相邻籽晶块之间的拼接面为与坩埚底部呈α夹角的平面，α取值范围为30-60度，并且拼接面一侧的籽晶块开设有一个长条形的槽，拼接面另一侧的籽晶块具有适合于插入该槽的一个长条形的凸块，相邻籽晶块拼接后，所述凸块插入槽内且拼接面之间的间隙小于0.5mm。

本发明进一步的改进在于：

1、凸块与槽之间的间隙不大于0.5mm。

2、所述槽与凸块之间的间隙填充有硅粉。

3、籽晶块为块状籽晶、方籽晶或板状籽晶。

4、所述槽和凸块的截面直角呈梯形结构。

5、所述槽和凸块位于拼接面的同一侧，槽的上壁所在平面与拼接面的夹角为180°-α，槽的下壁所在平面与拼接面的夹角为α。

本发明在籽晶块拼接面设置互相配合的凸块与槽形成榫卯结构，提高籽晶拼接面的贴合度，不会因两个籽晶拼接面的抛光导致两块籽晶在压力下相对滑动。在加热过程中，边缘处的籽晶受热膨胀，榫卯结构更加紧密，缝隙变得更小，相邻籽晶块贴合得更紧密，防止籽晶块边缘翘起引起的缝隙变大，从而最大程度的减少晶体位错缺陷，提高了单晶面积比例，提高了太阳能电池的光电转换效率、延长了电池的寿命，从而提高了光伏器件的性能。并且，槽的上壁与拼接面的夹角为钝角，有利于熔化的硅液从缝隙中渗入。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

图1是本发明实施例一籽晶拼接结构示意图。

图2是本发明实施例一籽晶拼接结构爆炸图。

图中标号示意如下：1-籽晶块，2-籽晶块，3-槽，4-凸块，5-拼接面。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步说明。

实施例一

如图1、图2所示，本发明实施例类单晶硅铸锭用籽晶拼接结构，包括互相拼接的长条形板状籽晶块1、2，相邻籽晶块1、2之间的拼接面5为与坩埚底部呈48度夹角的平面，并且拼接面5一侧的籽晶块1开设有一个长条形的槽3，拼接面5另一侧的籽晶块2具有适合于插入该槽3的一个长条形的凸块4，槽3和凸块4的截面呈直角梯形结构，相邻籽晶块1、2拼接后，凸块4插入槽3内且拼接面5之间的间隙小于0.5mm，凸块4与槽3之间的间隙为0.5mm。