[发明专利]掩膜板的制备方法和掩膜板有效
申请号: | 201510184143.7 | 申请日: | 2015-04-17 |
公开(公告)号: | CN104865791B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 张小磊;藤野诚治;王小虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50;H01L51/00;H01L51/52;G03F1/24;G03F1/42 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 祝亚男 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 制备 方法 | ||
1.一种掩膜板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
制备第一复合膜层,所述第一复合膜层包括第一保护层、粘贴层、遮挡层和第二保护层;
按照产品上的待曝光区域,对第一复合膜层中的第一保护层、粘贴层和遮挡层进行切割,得到第二复合膜层;
去除所述第二复合膜层中的第一保护层以及所述待曝光区域对应的粘贴层和遮挡层,得到第三复合膜层;
将所述第三复合膜层贴附在透明基板上,去除所述第二保护层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述遮挡层采用全反光材料。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述遮挡层采用金属材料。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述粘贴层和/或遮挡层为可溶性材料或激光可剥离材料。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述粘贴层和/或遮挡层能够溶解于丙酮。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法,其特征在于,所述遮挡层和所述粘贴层的厚度均匀性小于20um。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述第三复合膜层贴附在透明基板上,具体为采用对角线位置双电荷耦合元件CCD对位系统进行人工或自动对位。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述第三复合膜层贴附在透明基板上,去除所述第二保护层之后,所述方法还包括:
对所述第三复合膜层和透明基板进行脱泡和固化处理,得到掩膜板。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述第三复合膜层和透明基板进行脱泡包括:将所述第三复合膜层和透明基板放置于高真空设备腔内进行脱泡。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述高真空设备为真空封装系统VAS vacuum assembly system、真空热固化系统VHP vacuum hot plate或加载互锁真空室Load Lock。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,固化处理采用UV固化设备或热固化hot plate方式。
12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在固化处理过程中,采用热固胶或紫外线UV胶进行。
13.一种掩膜板,其特征在于,所述掩膜板包括透明基板、粘贴于透明基板上的粘贴层和粘贴于粘贴层上的遮挡层,
其中,所述遮挡层和所述粘贴层对应于开发产品的待曝光区域以外的区域。
14.根据权利要求13所述的掩膜板,其特征在于,所述遮挡层采用全反光材料。
15.根据权利要求14所述的掩膜板,其特征在于,所述遮挡层采用金属材料。
16.根据权利要求13所述的掩膜板,其特征在于,所述粘贴层和/或遮挡层为可溶性材料或激光可剥离材料。
17.根据权利要求16所述的掩膜板,其特征在于,所述粘贴层和/或遮挡层能够溶解于丙酮。
18.根据权利要求13-17任一项所述的掩膜板,其特征在于,所述遮挡层和所述粘贴层的厚度均匀性小于20um。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备