[发明专利]掩膜板的制备方法和掩膜板有效
申请号: | 201510184143.7 | 申请日: | 2015-04-17 |
公开(公告)号: | CN104865791B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 张小磊;藤野诚治;王小虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50;H01L51/00;H01L51/52;G03F1/24;G03F1/42 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 祝亚男 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶技术领域,特别涉及一种掩膜板的制备方法和掩膜板。
背景技术
UV mask(Ultra Violet mask,掩膜板)是一种使用在OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)封装段(Assembly)设备或者UV固化设备上的膜层,能够在完成UV光光照固化时对OLED器件进行有效的遮挡,从而避免UV强光对OLED器件造成不良影响甚至损坏。
现在常用的掩膜板制作涉及到多种复杂工艺,如溅射、PR(Photo Resistance,光阻)涂布、曝光、显影、刻蚀等,其制作过程复杂,耗时长。
发明内容
为了解决现有技术的问题,本发明实施例提供了一种掩膜板的制备方法和掩膜板。所述技术方案如下:
一方面,提供了一种掩膜板的制备方法,所述方法包括:
制备第一复合膜层,所述第一复合膜层包括第一保护层、粘贴层、遮挡层和第二保护层;
按照产品上的待曝光区域,对第一复合膜层中的第一保护层、粘贴层和遮挡层进行切割,得到第二复合膜层;
去除所述第二复合膜层中的第一保护层以及所述待曝光区域对应的粘贴层和遮挡层,得到第三复合膜层;
将所述第三复合膜层贴附在透明基板上,去除所述第二保护层。
另一方面,提供了一种掩膜板,所述掩膜板包括透明基板、粘贴于透明基板上的粘贴层和粘贴于粘贴层上的遮挡层,
其中,所述遮挡层和所述粘贴层对应于开发产品的待曝光区域以外的区域。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:通过使用多层薄膜构成的复合膜层结构制作掩膜板,可以按照产品的待曝光区域,对复合膜层进行切割、对复合膜层中的保护层以及待曝光区域对应的粘贴层和遮挡层进行揭除,在后续再进行薄膜贴附,以最终得到掩膜板,可以大大简化掩膜板制作的繁琐程度,减少制作耗时。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种掩膜板的制备方法的流程图;
图2是本发明实施例提供的第一复合膜层的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的贴附层次示意图;
图4是本发明实施例提供的切割区域示意图;
图5是本发明实施例提供的切割深度示意图;
图6是本发明实施例提供的第三复合膜层的结构示意图;
图7是本发明实施例提供的一种掩膜板的结构示意图;
图8是本发明实施例提供的一种掩膜板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种掩膜板的制备方法的流程图。参见图,所述方法包括:
101、制备第一复合膜层,该第一复合膜层包括第一保护层、粘贴层、遮挡层和第二保护层。
该制备过程可以是指将第一保护层、粘贴层、遮挡层和第二保护层按照顺序层叠放置,其中,如图2所示的第一复合膜层结构,第一保护层和第二保护层分别为前保护层和后保护层,分别设置于遮挡层和粘贴层的外侧,遮挡层起到遮光的作用,用于保护发光器件在UV光照固化过程中不受到强光影响。粘贴层用于将遮挡层和后续用到的透明基板(open mask)粘贴在一起。
可选地,该遮挡层采用全反光材料。该全反光材料的遮挡层可以将UV光反射,避免掩膜板吸收UV光而引起的温度上升。另外,该遮挡层和该粘贴层的均匀性小于20um,以满足工艺调试需求。优选地,该全反光材料可以为金属材料。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备