[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备：

第一导电型的沟道形成区；

形成在所述沟道形成区上的场绝缘膜和栅绝缘膜；

多个栅电极，隔着所述栅绝缘膜在所述沟道形成区上沿第一方向延伸，并沿与所述第一方向垂直的第二方向周期性地配置；

第一栅布线，在所述场绝缘膜上沿所述第二方向延伸，并将所述多个栅电极的一端侧相互连结；

第二导电型的漂移区，包含被所述沟道形成区的上部的所述多个栅电极中的一对栅电极所夹住的区域，且设置在所述一对栅电极的下方；

一对第二导电型的第一主电极区，以与所述漂移区分开而与所述一对栅电极部分地重叠的方式设置在所述沟道形成区的上部，且以在所述第二方向上夹住所述漂移区方式配置；

第二导电型的第二主电极区，设置在所述漂移区的表面，杂质浓度比所述漂移区高；

第二导电型的第一截断区，在所述漂移区的内部与所述第二主电极区分开地设置在所述第一栅布线之下，杂质浓度比所述漂移区高。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一截断区的位于所述第二主电极区侧的一端比所述第一栅布线的位于所述第二主电极区侧的一端更靠近所述第二主电极区侧的位置。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一截断区以沿所述第二方向分散设置的方式设置有多个。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一截断区的底部比所述漂移区的底部深。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述场绝缘膜形成在所述第一主电极区和所述第二主电极区之间，所述栅电极的所述第二主电极区侧载置在所述场绝缘膜上。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一主电极区和第二主电极区沿所述第二方向交替地、且周期性地配置。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述场绝缘膜沿所述第一方向延伸，并具有在所述第二方向上周期性地排列的多个窗口部而形成为梯形。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述栅绝缘膜沿所述第二方向在所述多个窗口部的内部每隔一行配置。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第二主电极区周期性地配置在未配置有所述栅绝缘膜的所述多个窗口部的剩余行。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备：

第二栅布线，沿所述第二方向在所述场绝缘膜上延伸，且连结于所述多个栅电极的与一端侧相反的另一端侧；

第二截断区，在所述漂移区的内部与所述第二主电极区分开地设置在所述第二栅布线之下，杂质浓度比所述漂移区高。