[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供在确保器件耐压的同时能够谋求小型化的半导体装置。半导体装置具备：第一导电型的沟道形成区(2)；配置在沟道形成区的上部的一部分的第二导电型的第一主电极区(10_j)；与第一主电极区分开配置在沟道形成区的上部，且供来自第一主电极区的载流子渡越的第二导电型的漂移区(3_j)；配置在漂移区的上部的一部分，接受来自第一主电极区的载流子的第二导电型的第二主电极区(11_j)；和与第二主电极区分开配置在漂移区的端部的浓度比漂移区高的第二导电型的截断区(4_j(4a_j、4b_j))，其中，截断区抑制沟道形成区和漂移区所构成的pn结界面的耗尽层(20a)的扩展。

技术领域

本发明涉及半导体装置，特别是涉及有效地将偏置栅结构的场效应晶体管适用于集成化的半导体装置的技术。

背景技术

作为用于功率放大电路、电源电路、转换器或电源保护电路等的功率晶体管，例如横向功率MOSFET为人们所熟知。关于该横向功率MOSFET，专利文献1中公开了通过在栅电极的漏区侧形成场绝缘膜，进一步在漏区的周边形成杂质浓度比该漏区低的偏置(漂移)区，由此弛豫用于提高耐压的高电场的方法。

另外，专利文献2中公开了通过提高偏置区和漏区之间的边界部的杂质浓度，从而在沟道形成区和偏置区之间的pn结部的界面上产生的耗尽层扩展(延伸)时，弛豫在偏置区和漏区之间的边界产生的电场集中的方法。

在横向功率MOSFET中，被布置为沿与栅电极的长度方向垂直的宽度方向(栅长方向)分别交替地配置多个源区和漏区。这样做的目的是在为了减小导通电阻而增大沟道宽度的情况下，通过使漏区共通化来缩小面积。并且，在源区和漏区之间配置有栅电极，各栅电极在源区和漏区的外侧与沿栅电极的宽度方向在场绝缘膜上延伸的栅布线一体连结。

应予说明，对于在偏置区和漏区产生的电场集中，在专利文献2中未公开有关由于栅布线的场板效应而只在器件的部分产生的情况。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-324159号公报

专利文献2：日本特开平7-288328号公报

发明内容

技术问题

本发明的目的在于提供在确保器件耐压的同时能够谋求小型化的半导体装置。

技术方案

为了实现前述目的，本发明的一个方式的半导体装置具备：第一导电型的沟道形成区、配置在沟道形成区的上部的一部分的第二导电型的第一主电极区、与第一主电极区分开地配置在沟道形成区的上部且供来自第一主电极区的载流子渡越的第二导电型的漂移区、配置在漂移区的上部的一部分且接受来自第一主电极区的载流子的第二导电型的第二主电极区、与第二主电极区分开地配置在漂移区的端部且浓度比漂移区高的第二导电型的截断区，其中，截断区抑制由沟道形成区和漂移区构成的pn结界面的耗尽层的扩展。

技术效果

根据本发明，在确保沟道形成区和第二主电极区之间的耐压(器件耐压)的同时能够谋求半导体装置的小型化。

附图说明

图1是示出本发明的一个实施方式的半导体装置的概略结构的主要部分俯视图。

图2是示出去除了图1的第一金属布线和第二金属布线的状态的俯视图。

图3是示出去除了图2的栅布线和栅电极的状态的俯视图。