[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号： | 201510186031.5 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN105047582A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 丸山浩二 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 彭里 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
研磨部，其对基板的被研磨面进行研磨并去除形成于所述被研磨面上的金属膜；
清洗部，其对通过所述研磨部研磨后的所述基板进行清洗干燥；以及
临时放置台，其在所述基板通过所述研磨部研磨后临时放置所述基板，
在所述临时放置台上，设有对所述基板的被研磨面上残留的金属膜进行检测的传感器。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述临时放置台被设置在所述研磨部与所述清洗部之间，
通过所述研磨部研磨后的所述基板在通过所述清洗部进行清洗之前被临时放置在所述临时放置台上。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述传感器构成为能够对所述临时放置台上所放置的所述基板的整个被研磨面的金属膜进行检测。
4.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述传感器是涡电流式传感器。
5.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述传感器是红外线激光式传感器。
6.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述传感器是红外线照相机式传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
