[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种对残留于研磨后的基板的表面(被研磨面)上的金属膜的残渣进行检测的基板处理装置。

背景技术

已经知道现有的基板处理装置具有：研磨部，对半导体晶圆等基板进行研磨并去除形成于基板上的金属膜；和清洗部，对通过研磨部研磨的基板进行清洗干燥。由研磨部进行例如化学机械研磨(CMP)，将研磨垫粘贴在研磨台的表面而形成研磨面，将通过研磨头(基板保持机构)保持的半导体晶圆等基板的被研磨面按压在该研磨面上使其接触，通过一边将料浆供给研磨面，一边利用研磨台的旋转和研磨头的旋转所产生的研磨面与被研磨面的相对运动，将被研磨面研磨平坦。

这样，采用CMP装置的话，虽然通过研磨可以去除基板上剩余的成膜了的金属膜，但在发生装置的动作不良等情况下，金属膜有时未去除干净而作为残渣残留在研磨后的基板的表面(被研磨面)上。因此，以往，提出了将传感器头设置(埋设)在研磨台内，在晶圆研磨过程中，使传感器头与研磨台一起旋转，一边横穿晶圆的表面，一边取得膜厚数据的装置(参照例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1日本特开2013-222856号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，现有的装置只能取得传感器头来到晶圆的下面时的膜厚数据(不是晶圆整体而是一部分的膜厚数据)，又由于一边与研磨台一起旋转一边取得膜厚数据，因而膜厚的测量精度有极限。

本发明正是鉴于上述问题而做出的，目的在于提供一种能够高精度地检测出研磨后的基板的被研磨面上作为残渣残留的金属膜的基板处理装置。

用于解决课题的手段

本发明的基板处理装置包括：研磨部，其对基板的被研磨面进行研磨并去除形成于被研磨面上的金属膜；清洗部，其对通过研磨部研磨后的基板进行清洗干燥；临时放置台，其在所述基板通过研磨部研磨后临时放置所述基板，其中，在临时放置台上，设有对基板的被研磨面上残留的金属膜进行检测的传感器。

根据此结构，在研磨后临时放置基板的临时放置台上设有传感器。因此，可以利用设在临时放置台上的传感器检测出放置于临时放置台上的基板的被研磨面上作为残渣残留的金属膜。在这种情况下，与如现有技术那样的研磨台内设有(埋设)传感器的情形相比，能够高精度地检测出研磨后的基板的被研磨面的金属膜。

又，在本发明的基板处理装置中，也可以将临时放置台设在研磨部与清洗部之间，通过研磨部研磨后的基板在通过清洗部清洗之前被临时放置在临时放置台上。

根据此结构，研磨部与清洗部之间的临时放置台上设有传感器。因此，可以通过研磨部研磨的基板被清洗部清洗之前，利用设在临时放置台上的传感器高精度地检测出放置在临时放置台上的基板的被研磨面的金属膜。

又，在本发明的基板处理装置中，传感器也可以构成为可以对放置在临时放置台上的基板的整个被研磨面的金属膜进行检测。

根据此结构，可以利用设在临时放置台上的传感器检测出放置在临时放置台上的基板的整个被研磨面的金属膜。因此，与如现有技术那样的用埋设在研磨台上的传感器只能检测出基板的被研磨面的一部分的金属膜的残渣相比，能够高精度地检测出基板的整个被研磨面的金属膜。

又，在本发明的基板处理装置中，传感器也可以是涡电流式传感器。

根据此结构，能够用涡电流式传感器，高精度地检测出残留在基板的被研磨面上的金属膜的残渣。

又，在本发明的基板处理装置中，传感器也可以是红外线激光式传感器。

根据此结构，能够用红外线激光式传感器，高精度地检测出残留在基板的被研磨面上的金属膜的残渣。

又，在本发明的基板处理装置中，传感器也可以是红外线照相机式传感器。

根据此结构，能够用红外线照相机式传感器，高精度地检测出残留在基板的被研磨面上的金属膜的残渣。

发明的效果

根据本发明，能够高精度地检测出研磨后的基板的被研磨面上作为残渣残留的金属膜。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式中的基板处理装置的整体结构的俯视图。

图2是示出本发明的实施方式中的摆式输送机的结构的立体图。

图3的(a)是示出本发明的实施方式中的清洗部的俯视图；(b)是示出本发明的实施方式中的清洗部的侧视图。

图4是示出本发明的实施方式中的清洗线的一个例子的示意图。

图5是示出本发明的实施方式中的清洗线的一个例子的示意图。