[发明专利]电压监控电路、电压施加电路

权利要求书

1.一种电压监控电路，其特征在于，包括控制电路和监测电路：

所述控制电路的输出端连接第一控制信号和第二控制信号，用于控制监测电路的开关；

所述监测电路包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第一PMOS晶体管：

所述第一NMOS晶体管的漏极连接第一节点，源极连接所述第二NMOS晶体管的漏极，栅极连接所述第一控制信号；

所述第二NMOS晶体管的源极连接所述第一PMOS晶体管的源极，栅极连接所述第一控制信号；

所述第一PMOS晶体管的漏极连接第二节点，栅极连接所述第二控制信号；

其中，将需要监控的电压连接至所述第二节点，根据所述第一节点输出的电压信号监控所述第二节点的电压；

所述控制电路包括依次相连的或非电路、第一反相电路以及电压转换电路，所述或非电路的输入端连接第一输入信号和第二输入信号。

2.如权利要求1所述的电压监控电路，其特征在于，所述电压转换电路包括：依次连接于第一电源端与第二电源端之间的第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管；依次连接于所述第一电源端与所述第二电源端之间的第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第五NMOS晶体管以及第六NMOS晶体管；其中，所述第三PMOS晶体管的漏极、所述第三NMOS晶体管的漏极通过第三节点连接所述第四PMOS晶体管的栅极，所述第五PMOS晶体管的漏极、所述第五NMOS晶体管的漏极通过第四节点连接所述第二PMOS晶体管的栅极，所述第一控制信号连接所述第四节点，所述第二控制信号连接所述第三节点。

3.如权利要求2所述的电压监控电路，其特征在于，所述第三PMOS晶体管的栅极和所述第五PMOS晶体管的栅极连接第三输入信号，所述第三NMOS晶体管的栅极和所述第五NMOS晶体管的栅极连接第四输入信号。

4.如权利要求2所述的电压监控电路，其特征在于，所述第一电源端为10V～12V的电压源，所述第二电源端为地端。

5.如权利要求2所述的电压监控电路，其特征在于，所述第一控制信号和所述第二控制信号根据所述第一输入信号和所述第二输入信号对应输出所述第一电源端或者所述第二电源端的电压。

6.如权利要求5所述的电压监控电路，其特征在于，当所述第一输入信号和所述第二输入信号为高电平时，所述第一控制信号输出所述第一电源端的电压，所述第二控制信号输出所述第二电源端的电压，所述监测电路导通。

7.如权利要求1所述的电压监控电路，其特征在于，所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管为低阈值NMOS晶体管。

8.如权利要求1所述的电压监控电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管为正常阈值PMOS晶体管。

9.一种电压施加电路，其特征在于，包括控制电路和监测电路：

所述控制电路的输出端连接第一控制信号和第二控制信号，用于控制监测电路的开关；

所述监测电路包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第一PMOS晶体管：

所述第一NMOS晶体管的漏极连接第一节点，源极连接所述第二NMOS晶体管的漏极，栅极连接所述第一控制信号；

所述第二NMOS晶体管的源极连接所述第一PMOS晶体管的源极，栅极连接所述第一控制信号；

所述第一PMOS晶体管的漏极连接第二节点，栅极连接所述第二控制信号；

其中，所述第一节点将需要施加的电压输出到第二节点。