[发明专利]半导体芯片的试验装置、试验方法及试验电路

权利要求书

1.一种芯片的试验装置，其特征在于，是对被试验用二极管芯片的反向恢复特性进行试验的芯片的试验装置，具备：

电源；

第一开关元件，第一开关元件的高电位端子连接到所述电源的正极；

负载，一端通过第一布线与所述第一开关元件的低电位端子连接，并且含有电感；

试验电极，与所述负载的一端连接并用于以与所述被试验用二极管芯片的阴极接触的方式搭载所述被试验用二极管芯片的阴极；

第二布线，经由第二开关元件连接所述负载的另一端和所述电源的负极；

接触探针，用于接触所述被试验用二极管芯片的阳极；

支持部件，具备支持所述接触探针的第一支持部和支持用于使所述接触探针的另一端与所述第二布线接触的接触件的第二支持部；

电路用二极管，电路用二极管的阴极连接到所述负载的一端；

第三开关元件，第三开关元件的低电位端子与所述电路用二极管的阳极连接，第三开关元件的高电位端子连接到所述负载的另一端，

其中，所述第二开关元件的高电位侧端子连接到所述负载，所述第二开关元件的低电位端子连接到所述第二布线。

2.根据权利要求1所述的芯片的试验装置，其特征在于，所述电路用二极管和所述第三开关元件构成迂回电路。

3.一种芯片的试验装置，其特征在于，是对被试验用二极管芯片的反向恢复特性进行试验的芯片的试验装置，具备：

电源；

第一开关元件，第一开关元件的高电位端子连接到所述电源的正极；

负载，一端通过第一布线与所述第一开关元件的低电位端子连接，并且含有电感；

试验电极，与所述负载的一端连接并用于以与所述被试验用二极管芯片的阴极接触的方式搭载所述被试验用二极管芯片的阴极；

第二布线，经由第二开关元件连接所述负载的另一端和所述电源的负极；

接触探针，用于接触所述被试验用二极管芯片的阳极；

支持部件，具备支持所述接触探针的第一支持部和支持用于使所述接触探针的另一端与所述第二布线接触的接触件的第二支持部；

电阻，与所述第二开关元件并联连接，

其中，所述第二开关元件的高电位侧端子连接到所述负载，所述第二开关元件的低电位端子连接到所述第二布线。

4.根据权利要求1或3所述的芯片的试验装置，其特征在于，所述第一布线和第二布线为中间隔着绝缘板的平行平板基板。

5.根据权利要求1或3所述的芯片的试验装置，其特征在于，所述支持部件具备升降机构。

6.一种芯片的试验方法，其特征在于，

在权利要求1或3所述的芯片的试验装置中，使所述接触探针接触到所述被试验用二极管芯片的阳极，同时使所述接触件接触到所述第二布线以进行反向恢复特性试验。

7.根据权利要求6所述的芯片的试验方法，其特征在于，所述被试验用二极管芯片为FWD芯片、pn结二极管芯片、MOSFET芯片的体二极管中的任一个。

8.一种芯片的试验电路，其特征在于，所述试验电路具备：

电源；

第一开关元件，第一开关元件的高电位端子连接到所述电源的正极；

负载，一端与所述第一开关元件的低电位端子连接，并含有电感；

被试验用二极管芯片，被试验用二极管芯片的阴极与所述负载的一端连接；

第二开关元件，第二开关元件的高电位侧端子与所述负载的另一端连接，第二开关元件的低电位端子与所述电源的负极连接；

电路用二极管，电路用二极管的阴极连接到所述负载的一端；

第三开关元件，第三开关元件的低电位端子与所述电路用二极管的阳极连接，第三开关元件的高电位端子连接到所述负载的另一端，

其中，所述第二开关元件的低电位侧端子与所述被试验用二极管芯片的阳极连接。

9.一种芯片的试验电路，其特征在于，所述试验电路具备：

电源；

第一开关元件，第一开关元件的高电位端子连接到所述电源的正极；

负载，一端与所述第一开关元件的低电位端子连接，并含有电感；

被试验用二极管芯片，被试验用二极管芯片的阴极与所述负载的一端连接；

第二开关元件，第二开关元件的高电位侧端子与所述负载的另一端连接，第二开关元件的低电位端子与所述电源的负极连接；

电阻，与所述第二开关元件并联连接，

其中，所述第二开关元件的低电位侧端子与所述被试验用二极管芯片的阳极连接。