[发明专利]一种半导体器件表面厚度均一化方法在审
| 申请号： | 201510189260.2 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104851838A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 纪登峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 表面 厚度 均一 方法 | ||
1.一种半导体器件表面厚度均一化方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：提供一半导体衬底；
步骤二：在所述半导体衬底沉积绝缘层，然后将绝缘层图案化，暴露出功能焊垫；
步骤三：在步骤二形成的半导体器件上依次沉积金属层和光刻胶层，并将所述光刻胶层图案化，暴露出部分金属层；
步骤四：刻蚀步骤三所暴露出的金属层，将光刻胶层去除，形成金属线路层；
步骤五：将步骤四形成的半导体器件上依次沉积氮化硅层与二氧化硅层；
步骤六：采用化学机械研磨的方式研磨所述二氧化硅层直至所述金属线路上的氮化硅完全暴露，并研磨部分氮化硅层。
2.如权利要求1所述的半导体器件表面厚度均一化方法，其特征在于，还包括步骤七：在步骤六所形成的半导体器件上沉积一层二氧化硅，并研磨部分二氧化硅。
3.如权利要求2所述的半导体器件表面厚度均一化方法，其特征在于，所述步骤七中沉积二氧化硅层的厚度为2～3μm。
4.如权利要求2所述的半导体器件表面厚度均一化方法，其特征在于，所述步骤七中研磨部分二氧化硅层直至二氧化硅层厚度减少0.5～1μm。
5.如权利要求1所述的半导体器件表面厚度均一化方法，其特征在于，所述金属线路材料为铝或者铜，厚度为4～10μm。
6.如权利要求1所述的半导体器件表面厚度均一化方法，其特征在于，所述绝缘层为磷硅玻璃、二氧化硅、氮化硅、二氧化硅以及聚酰亚胺中的一种或者几种。
7.如权利要求1所述的半导体器件表面厚度均一化方法，其特征在于，所述步骤五中氮化硅层厚度为0.5～1μm。
8.如权利要求1所述的半导体器件表面厚度均一化方法，其特征在于，所述步骤五中二氧化硅层厚度为6μm以上。
9.如权利要求1所述的半导体器件表面厚度均一化方法，其特征在于，所述步骤六中研磨部分氮化硅层直至氮化硅层厚度减少2～3μm。
10.如权利要求1所述的半导体器件表面厚度均一化方法，其特征在于，所述研磨部分氮化硅层或者部分二氧化硅层为化学机械研磨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
