[发明专利]一种镀膜后的蓝宝石晶片的清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及蓝宝石清洗领域，具体涉及一种镀膜后的蓝宝石晶片的清洗方法。

背景技术

蓝宝石晶片在镀增透膜(蓝宝石晶片背面摄像头位置镀增透膜)和防油膜(蓝宝石晶片正面整面镀防指纹油膜)后表面有一层油污，在现有技术的检验过程中通常采用玻璃水和酒精擦拭的方法来去除此类油污。但其工作效率极其低下，同时酒精挥发性大，有刺鼻的气味，对员工操作带来较大的影响。因而本领域急需开发一种高效、安全环保的方法去除此类油污。

本发明的发明人在先研发并于专利申请CN201410366227中公开了一种蓝宝石晶片清洗工艺，用于对蓝宝石晶片在镀膜、丝印前进行清洗，具体是在超声波清洗机中对蓝宝石晶片进行清洗，包括如下步骤：第一步、去油污；第二步、喷淋；第三步、去脏污；第四步、喷淋；第五步、除残留；第六步、喷淋；第七步、超声波清洗；第八步、慢拉脱水；第九步、烘干，烘干后进行去静电处理。该发明减少强酸性、强腐蚀性洗剂的使用，通过分开多次清洗，保证了蓝宝石晶片表面的清洗效果，对设备和操作人员的危害大大降低。

但上述方法是专用于蓝宝石晶片在镀膜、丝印前进行清洗的方法，鉴于工序的不同和蓝宝石晶片上污垢成份的不同，因此本发明当然无法使用上述专利申请中的方法来清洗镀膜后的蓝宝石晶片。也就是说，本领域需要开发一种与该方法相比，所用清洗设备、洗剂、清洗工艺均不相同的方法，以实现对镀膜后的蓝宝石晶片的高效清洗。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种高品质、安全环保的镀膜后蓝宝石晶片的清洗工艺。

因此，本发明提供一种镀膜后的蓝宝石晶片的清洗方法，包括采用含流水线、喷淋装置和滚刷装置的平板清洗机对其清洗，其清洗步骤包括，步骤A、洗剂滚刷喷淋洗：使用浓度为1～10wt％的中性清洗剂在40～65℃的温度下对所述镀膜后的蓝宝石晶片进行滚刷刷洗和上下喷淋洗，其中上喷淋压力≥下喷淋压力；步骤B、高温纯水喷淋洗：使用纯水在温度为30～65℃的温度下对完成步骤A后的蓝宝石晶片进行纯水喷淋洗，其中上喷淋压力≥下喷淋压力；步骤C、低温纯水喷淋洗：使用纯水在温度为0～25℃的温度下对完成步骤B后的蓝宝石晶片进行纯水喷淋洗，其中上喷淋压力≥下喷淋压力；步骤D、风刀吹干：使用风刀从上下两个方向吹干已完成步骤C的蓝宝石晶片，且上风刀气压≥下风刀气压。

本发明中的纯水例如是电阻率为15～18MΩ·cm的去离子水。本发明中，蓝宝石晶片在流水线中设置为其两个大表面与上下方向垂直。本领域技术人员容易理解的，所述风刀是指吹风机所吹出的风的流动呈刀片状，且风刀优选为与所述大表面垂直且与蓝宝石晶片的长边垂直的四组平行设置的风刀，每组风刀均包括上风刀和下风刀。风刀吹出的风吹向所述蓝宝石晶片上，晶片上的水珠主要会从晶片的长边方向上掉落。

本发明中，所述中性清洗剂为商购的中性清洗剂。其中含有表面活性剂、渗透剂、消泡剂和pH值调整剂等成份。所述中性清洗剂例如为永安化工生产的商品号为0065的中性清洗剂、或科玺公司生产的0032中性清洗剂、或山之峰公司生产的0057中性清洗剂。本发明中对此并无限制。

在一种具体的实施方式中，所述方法还包括步骤D后的步骤E、去静电：使用离子风机除静电。

本发明中，优选步骤B中的喷淋温度≤步骤A中的喷淋温度。

在一种具体的实施方式中，步骤A中的喷淋温度为45～55℃，步骤B中的喷淋温度为40～50℃，步骤C中的喷淋温度为15～25℃。

在一种具体的实施方式中，所述步骤A的洗剂滚刷喷淋洗步骤具体包括先后进行的如下三段：1)洗剂滚刷洗：用4～7％的中性清洗剂，在50±5℃的条件下进行刷洗；2)洗剂滚刷喷淋洗：用2～4％的中性清洗剂，在50±5℃的条件下进行上下喷淋和刷洗；3)洗剂滚刷喷淋洗：用1～2％的中性清洗剂，在50±5℃的条件下进行上下喷淋和刷洗。

在一种具体的实施方式中，所述步骤B的高温纯水喷淋洗步骤具体包括先后进行的如下两段：4)高温纯水滚刷喷淋洗：用温度为45±5℃的纯水上下喷淋且进行滚刷清洗；5)高温纯水喷淋清洗：用温度为45±5℃的纯水上下喷淋清洗。

本发明解决了现有技术中蓝宝石镀膜后只能人工清洗且难以清洗的难题，且使用本发明方法提高了蓝宝石晶片产品的洁净度和生产效率，避免了因擦拭动作带来的时间浪费和有机溶剂带来的刺鼻气味。

具体实施方式

下面通过具体的实施例对本发明进行进一步的说明。其中：1MPa＝10.2Kg/cm²。

实施例1