[发明专利]对Nand Flash进行操作的方法和装置在审

专利信息
申请号: 201510195274.5 申请日: 2015-04-23
公开(公告)号: CN105446655A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 贾天亮 申请(专利权)人: 北京天诚盛业科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/08
代理公司: 北京恩赫律师事务所 11469 代理人: 刘守宪
地址: 100085 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: nand flash 进行 操作 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种对NandFlash进行操作的方法,其特征在于,所述NandFlash的各个块按照一定的字节分为若干个管理单元,所述方法包括:

以所述管理单元为单位读取NandFlash中整块的数据至RAM;

其中,根据预先建立的管理单元表,若遇到坏管理单元,则读取与该坏管理单元映射的好管理单元中的数据;所述管理单元表中存储有坏管理单元和好管理单元的映射关系;

或者,根据预先建立的管理单元表,若遇到坏管理单元,则跳过。

2.根据权利要求1所述的对NandFlash进行操作的方法,其特征在于,所述方法还包括:

修改读取至RAM的数据;

以块为单位擦除NandFlash中的数据;其中,根据预先建立的管理单元表,若遇到坏管理单元,则擦除与该坏管理单元映射的好管理单元中的数据;所述管理单元表中存储有坏管理单元和好管理单元的映射关系;或者,根据预先建立的管理单元表,若遇到坏管理单元,则跳过;

将RAM中修改后的数据以所述管理单元为单位写入NandFlash中;其中,根据预先建立的管理单元表,若遇到坏管理单元,则写入与该坏管理单元映射的好管理单元中;所述管理单元表中存储有坏管理单元和好管理单元的映射关系;或者,根据预先建立的管理单元表,若遇到坏管理单元,则跳过。

3.根据权利要求1或2所述的对NandFlash进行操作的方法,其特征在于,所述管理单元的大小为256字节,所述NandFlash中存储有用于对管理单元中的数据进行校验的ECC校验值。

4.根据权利要求3所述的对NandFlash进行操作的方法,其特征在于,所述方法还包括:

统计管理单元中坏点的个数,若坏点个数小于2,则在所述管理单元表中标记该管理单元为好管理单元,否则,在所述管理单元表中标记该管理单元为坏管理单元,并将坏管理单元映射到一个好管理单元。

5.根据权利要求4所述的对NandFlash进行操作的方法,其特征在于,所述NandFlash包括用于存储数据的基本空间、用于为基本空间提供映射的预留空间和其他空间;

所述将坏管理单元映射到一个好管理单元进一步为:

将所述基本空间中的坏管理单元映射到所述预留空间中的好管理单元。

6.根据权利要求5所述的对NandFlash进行操作的方法,其特征在于,所述其他空间中存储有3份管理单元表,所述方法还包括:

从所述NandFlash中读取3份管理单元表,所述管理单元表中存储有坏管理单元的个数;

比较3份管理单元表中坏管理单元的个数,找出坏管理单元的个数最大的管理单元表;

用坏管理单元的个数最大的管理单元表替换其他管理单元表。

7.一种对NandFlash进行操作的装置,其特征在于,所述NandFlash的各个块按照一定的字节分为若干个管理单元,所述装置包括:

第一读取模块,用于以所述管理单元为单位读取NandFlash中整块的数据至RAM;

其中,根据预先建立的管理单元表,若遇到坏管理单元,则读取与该坏管理单元映射的好管理单元中的数据;所述管理单元表中存储有坏管理单元和好管理单元的映射关系;

或者,根据预先建立的管理单元表,若遇到坏管理单元,则跳过。

8.根据权利要求7所述的对NandFlash进行操作的装置,其特征在于,所述装置还包括:

第一修改模块,用于修改读取至RAM的数据;

第一擦除模块,用于以块为单位擦除NandFlash中的数据;其中,根据预先建立的管理单元表,若遇到坏管理单元,则擦除与该坏管理单元映射的好管理单元中的数据;所述管理单元表中存储有坏管理单元和好管理单元的映射关系;或者,根据预先建立的管理单元表,若遇到坏管理单元,则跳过;

第一写入模块,用于将RAM中修改后的数据以所述管理单元为单位写入NandFlash中;其中,根据预先建立的管理单元表,若遇到坏管理单元,则写入与该坏管理单元映射的好管理单元中;所述管理单元表中存储有坏管理单元和好管理单元的映射关系;或者,根据预先建立的管理单元表,若遇到坏管理单元,则跳过。

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