[发明专利]对Nand Flash进行操作的方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及嵌入式系统领域，特别是指一种对NandFlash进行操作的方法和装置。

背景技术

对于现有的嵌入式系统，由于NandFlash存储空间大、价格低廉的优势，所以NandFlash被应用的最为广泛。

在NandFlash的生产制造过程中，由于生产工艺的缺陷，很容易在NandFlash中产生不能使用的坏点，在使用的过程中，NandFlash内部也会产生新的坏点。所谓的坏点就是NandFlash中的某个位(bit)出现了无法拉高(高电平1)的问题。所以在使用NandFlash的过程中都需要对坏点进行管理。

Nandflash本身的硬件特性决定了，在对其进行写操作的之前，先要进行擦除操作，否则写操作很可能会不成功。而NandFlash的擦除操作是以块为单位的，也就是说，一擦除就是一个整块。

所以现有技术对NandFlash的坏点的管理是以块为单位的。这种管理方法，存在的问题如下：

降低了存储空间的利用率，浪费了大量的存储空间。当NandFlash中某区域出现了一处坏点或多处坏点后，那该区域所属的块，就被标记为坏块，被标记为坏块的块，以后就不会再被使用。而实际上该块除了这一个或几个坏点外，其余绝大多数的区域都是好区域。这样就造成了该块中这些好的存储空间的大量浪费。

发明内容

本发明提供一种对NandFlash进行操作的方法和装置，该方法提高了NandFlash存储空间的利用率，减少了存储空间的浪费，并且加快了对NandFlash进行读写的速度。

为解决上述技术问题，本发明提供技术方案如下：

一种对NandFlash进行操作的方法，所述NandFlash的各个块按照一定的字节分为若干个管理单元，所述方法包括：

以所述管理单元为单位读取NandFlash中整块的数据至RAM；

其中，根据预先建立的管理单元表，若遇到坏管理单元，则读取与该坏管理单元映射的好管理单元中的数据；所述管理单元表中存储有坏管理单元和好管理单元的映射关系；

或者，根据预先建立的管理单元表，若遇到坏管理单元，则跳过。

一种对NandFlash进行操作的装置，所述NandFlash的各个块按照一定的字节分为若干个管理单元，所述装置包括：

第一读取模块，用于以所述管理单元为单位读取NandFlash中整块的数据至RAM；

其中，根据预先建立的管理单元表，若遇到坏管理单元，则读取与该坏管理单元映射的好管理单元中的数据；所述管理单元表中存储有坏管理单元和好管理单元的映射关系；

或者，根据预先建立的管理单元表，若遇到坏管理单元，则跳过。

本发明具有以下有益效果：

与现有技术相比，本发明的对NandFlash进行操作的方法中，将NandFlash的各个块按照一定的字节分为若干个管理单元，在从NandFlash中读取数据时，以管理单元为单位进行顺序读取，根据预先建立的管理单元表(管理单元表中标示出了各个管理单元的好坏)，若遇到坏管理单元，则读取与该坏管理单元映射的好管理单元中的数据，此时，管理单元表中还存储有坏管理单元和好管理单元的映射关系；或者，根据预先建立的管理单元表，若遇到坏管理单元，则跳过该管理单元，读取下一管理单元的数据。

本发明将NandFlash的各个块分为若干个管理单元，若块中出现了坏点，则只是包含该坏点的管理单元不可用，其他的管理单元仍旧可用，这样就提高了NandFlash存储空间的利用率，减少了存储空间的浪费。

并且，管理单元一般小于NandFlash页的大小，以管理单元为单位进行数据的读写加快了对NandFlash进行读写的速度。

故本发明的对NandFlash进行操作的方法提高了NandFlash存储空间的利用率，减少了存储空间的浪费，并且加快了对NandFlash进行读写的速度。

附图说明

图1为本发明的对NandFlash进行操作的方法的流程图一；

图2为本发明的对NandFlash进行操作的方法的流程图二；

图3为本发明的对NandFlash进行操作的方法的流程图三；

图4为本发明中NandFlash的存储空间示意图；

图5为本发明中管理单元的映射示意图；

图6为本发明的对NandFlash进行操作的方法的流程图四；