[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底基板上形成第一导电图案、第二导电图案以及至少覆盖所述第一导电图案的上表面的绝缘图案；其中，所述第一导电图案、第二导电图案采用一次构图工艺形成；所述第一导电图案包括：依次远离所述衬底基板的第一非晶态透明导电图形、第一金属图形；所述第二导电图案包括第二非晶态透明导电图形；

对形成有所述第一导电图案、所述第二导电图案以及所述绝缘图案的所述衬底基板进行退火处理，使所述第一非晶态透明导电图形、所述第二非晶态透明导电图形分别转化为第一晶态透明导电图形、第二晶态透明导电图形。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘图案与所述第一导电图案、所述第二导电图案在同一次构图工艺下形成。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成第一导电图案、第二导电图案以及至少覆盖所述第一导电图案的上表面的绝缘图案；其中，所述绝缘图案与所述第一导电图案、所述第二导电图案在同一次构图工艺下形成，具体包括：

在衬底基板上依次形成透明导电薄膜、金属薄膜、绝缘薄膜、以及光刻胶；

采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板，对形成有所述光刻胶的所述衬底基板进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分、以及光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留部分对应待形成的第一导电图案的区域；所述光刻胶半保留部分对应待形成的第二导电图案的区域；所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；

采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶完全去除区域对应的所述绝缘薄膜、所述金属薄膜、以及所述透明导电薄膜；

采用灰化工艺，去除所述光刻胶半保留部分；

采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶半保留部分对应的所述绝缘薄膜、所述金属薄膜，形成所述第一导电图案、所述第二导电图案；

采用剥离工艺，去除所述光刻胶完全保留部分，露出所述绝缘图案。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属图形包括：依次远离所述衬底基板的第一金属合金层、第一金属单质层。

5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，

所述第一导电图案包括：栅极的图案、栅线的图案、以及公共电极线的图案；

所述第二导电图案包括：公共电极的图案或像素电极的图案；

其中，当所述第二导电图案包括公共电极的图案时，所述公共电极线与所述公共电极相接触；当所述第二导电图案包括像素电极的图案时，所述公共电极线与所述像素电极互不接触。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一非晶态透明导电图形对应于所述公共电极线的部分与所述第二非晶态透明导电图形为一体结构。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述对形成有所述第一导电图案、所述第二导电图案以及所述绝缘图案的所述衬底基板进行退火处理，使所述第一非晶态透明导电图形、所述第二非晶态透明导电图形分别转化为第一晶态透明导电图形、所述第二晶态透明导电图形之前，所述制备方法还包括：

在形成有所述第一导电图案、所述第二导电图案、以及所述绝缘图案的基板上形成栅绝缘层。

8.一种阵列基板，包括衬底基板；其特征在于，所述阵列基板还包括：

位于所述衬底基板上同层设置的第一导电图案、第二导电图案、以及至少覆盖所述第一导电图案的上表面的绝缘图案；

其中，所述第一导电图案包括依次远离所述衬底基板的第一晶态透明导电图形、第一金属图形；所述第二导电图案包括第二晶态透明导电图形。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属图形包括：依次远离所述衬底基板的第一金属合金层、第一金属单质层。

10.根据权利要求8或9所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一导电图案包括：栅极的图案、栅线的图案、以及公共电极线的图案；

所述第二导电图案包括：公共电极的图案或像素电极的图案；

其中，当所述第二导电图案包括公共电极的图案时，所述公共电极线与所述公共电极相接触；当所述第二导电图案包括像素电极的图案时，所述公共电极线与所述像素电极互不接触。