[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术

目前，为了简化阵列基板中制备各层结构的构图工艺次数，通常采用灰色调(Gray Tone Mask)或半色调(Half Tone Mask)掩膜技术，在同一次构图工艺中形成多个图形，如栅极、栅线、公共电极以及连接公共电极的公共电极线等结构，从而简化单独制备各个图形时的工艺过程。这里，典型的构图工艺包括有成膜、曝光、显影、刻蚀以及剥离等步骤。

其中，公共电极等透明电极通常采用高透过率的ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等透明导电材料构成；栅极、栅线以及公共电极线等金属电极通常采用电阻较低的Cu(铜)等金属材料构成。由于ITO成膜时直接形成的为a-ITO(非晶态的氧化铟锡)，需对其进行退火(anneal)处理以使a-ITO转变为p-ITO(晶态的氧化铟锡)，从而使p-ITO具有较低的电阻率并使其具有与显示面板设计要求相符的透过率；此外，对金属Cu材料进行退火处理还可以消除其残余应力、减少变形与裂纹倾向等内部组织缺陷。

如图1所示，上述的构图工艺的具体过程为：

步骤(a)：在衬底基板100上依次形成透明导电薄膜101、金属薄膜102以及光刻胶104；

步骤(b)：采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板，对光刻胶进行曝光、显影，形成对应于栅极、栅线以及公共电极线的光刻胶完全保留部分104a，对应于公共电极22的光刻胶半保留部分104b，以及对应于其他区域的光刻胶完全去除区域104c；

步骤(c)：刻蚀去除光刻胶完全去除区域对应的透明导电薄膜101、金属薄膜102；

步骤(d)：采用灰化工艺，去除光刻胶半保留部分，露出覆盖的金属薄膜102；

步骤(e)：刻蚀去除光刻胶半保留部分露出的金属薄膜102，形成公共电极22；

步骤(f)：剥离去除光刻胶完全保留部分，并对形成有上述各图形的基板进行退火处理，之后继续进行如沉积栅绝缘层等后续的制备工艺。

然后，在对基板进行退火的过程中，Cu远离ITO一侧的表面上很容易产生氧化，导致产品不良。具体如图2中的表格所示，在同样的退火气氛及退火时间中，Cu表面产生的氧化层的厚度正比于退火处理的温度。随着温度升高，氧化层的厚度也随着增加，相应的电阻值也显著增大，导致通过栅线等金属电极传输相应电信号时的能耗增加。并且，当电阻值显著增大到一定程度时，相当于使栅线等金属电极发生断路，导致阵列基板难以进行正常的图像显示。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，可解决退火处理时金属电极表面容易产生氧化的问题，提高产品良率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面、本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：在衬底基板上形成第一导电图案、第二导电图案以及至少覆盖所述第一导电图案的上表面的绝缘图案；其中，所述第一导电图案、第二导电图案采用一次构图工艺形成；所述第一导电图案包括：依次远离所述衬底基板的第一非晶态透明导电图形、第一金属图形；所述第二导电图案包括第二非晶态透明导电图形；对形成有所述第一导电图案、所述第二导电图案以及所述绝缘图案的所述衬底基板进行退火处理，使所述第一非晶态透明导电图形、所述第二非晶态透明导电图形分别转化为第一晶态透明导电图形、第二晶态透明导电图形。

优选的，所述绝缘图案与所述第一导电图案、所述第二导电图案在同一次构图工艺下形成。