[发明专利]过热检测电路及半导体装置有效
申请号: | 201510198513.2 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN105043571B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 杉浦正一;富冈勉;泽井英幸;五十岚敦史;大塚直央;冈野大辅 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | G01K7/01 | 分类号: | G01K7/01 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;姜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 过热 检测 电路 半导体 装置 | ||
1.一种过热检测电路,其中包括:
作为感温元件的PN结元件;
向所述PN结元件供给偏置电流的恒流电路;
输出基准电压的基准电压电路;以及
比较所述PN结元件产生的电压和所述基准电压的比较器,
所述过热检测电路的特征在于,包括:
在高温下使泄漏电流在所述基准电压电路流动的第二PN结元件;以及
在高温下使所述恒流电路的泄漏电流旁路的第三PN结元件。
2.如权利要求1所述的过热检测电路,其特征在于,
所述比较器包括:
被输入所述PN结元件产生的电压和所述基准电压的差分放大电路;
栅极被输入所述差分放大电路的输出的MOS晶体管;
与所述MOS晶体管的漏极连接的第二恒流电路;以及
与所述第二恒流电路连接并且在高温下使泄漏电流流动的第四PN结元件,
所述MOS晶体管和所述第二恒流电路的连接点为所述比较器的输出端子。
3.一种包括权利要求1或2所述的过热检测电路的半导体装置。
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