[发明专利]过热检测电路及半导体装置

说明书

本发明题为过热检测电路及半导体装置。本发明提供高温下也正确地检测半导体装置的温度而不会输出错误的检测结果的过热检测电路。该结构包括：作为感温元件的PN结元件；向PN结元件供给偏置电流的恒流电路；比较PN结元件产生的电压和基准电压的比较器；在高温下使泄漏电流在基准电压电路流动的第二PN结元件；以及在高温下使恒流电路的泄漏电流旁路的第三PN结元件。

技术领域

本发明涉及检测半导体装置的异常温度的过热检测电路。

背景技术

关于现有的过热检测电路，已知如现有技术文献所示的电路。

图3是现有的过热检测电路的电路图。现有的过热检测电路包括基准电压部10、感温部20、比较器30。现有的过热检测电路中，比较器30对在感温元件即PN结元件21产生的电压和基准电压电路11输出的基准电压Vref进行比较判定，从而检测过热状态。在PN结元件21产生的电压，只要PN结元件21被恒流电路22的恒流偏置，就基本上显示负的温度特性。若周围的温度变高、在PN结元件21产生的电压小于基准电压Vref，则比较器30输出表示过热状态的信号。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平6－242176号公报。

发明内容

发明要解决的课题

然而，上述过热检测电路例如在恒流电路22由PMOS晶体管的电流镜电路构成等情况下，当高温时在该PMOS晶体管的漏极端子与基板之间的泄漏电流增加，从而使PN结元件21偏置的恒流增加。因此，由于PN结元件21的电压上升，所以存在不能正确地检测温度的问题。

另外，例如，在基准电压电路11包括饱和连接的NMOS晶体管等情况下，当高温时该NMOS晶体管的漏极端子与基板之间的泄漏电流增加，从而基准电压电路11的基准电压Vref减少，因此比较器30的基准发生变动，存在不能正确检测温度的问题。

另外，例如，构成比较器30的晶体管的泄漏电流增加，从而在内部动作点发生不良，存在不能正确检测温度以及不能正确输出结果的问题。

本发明为了解决以上那样的课题而构思，提供高温下也正确地检测半导体装置的温度而不会输出错误的检测结果的过热检测电路。

用于解决课题的方案

为了解决现有技术的课题，本发明的过热检测电路采用如下结构。

该结构包括：作为感温元件的PN结元件；向PN结元件供给偏置电流的恒流电路；比较PN结元件产生的电压和基准电压的比较器；在高温下使泄漏电流在基准电压电路流动的第二PN结元件；以及在高温下使恒流电路的泄漏电流旁路的第三PN结元件。

发明效果

依据本发明的过热检测电路，在高温下也能正确地检测出半导体装置的温度，并能输出正确的检测结果。

附图说明

图1是本实施方式的过热检测电路的电路图；

图2是本实施方式的过热检测电路的比较器的电路图；

图3是现有的过热检测电路的电路图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本实施方式进行说明。

图1是本实施方式的过热检测电路的电路图。

本实施方式的过热检测电路包括基准电压部10、感温部20和比较器30。基准电压部10包括基准电压电路11和PN结元件12。感温部20包括PN结元件21、恒流电路22和PN结元件23。PN结元件21为感温元件。PN结元件12和PN结元件23是用于调整高温时泄漏电流的元件。