[发明专利]一种制作阵列基板的方法及其阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种制作阵列基板的方法，包括：

形成作为源漏极和数据线的金属薄膜层；

在所述金属薄膜层上形成非晶半导体薄膜层；

退火，以便将至少部分所述非晶半导体薄膜层转换成金属半导体化合物；

形成光刻胶层，通过曝光、显影将源漏极和数据线区域之外的光刻胶去除；将所述源漏极和数据线区域之外的金属半导体化合物干法刻蚀去除；将所述源漏极和数据线区域之外的金属薄膜层湿法刻蚀去除；然后将剩余的光刻胶去除。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成作为源漏极和数据线的金属薄膜层之前，在衬底上形成栅极和栅线、覆盖在所述栅极和栅线上的栅绝缘层、以及覆盖在所述栅绝缘层上的对应于所述栅极区域的有源层。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

形成钝化层，并且在与漏极、栅线和数据线对应的位置刻蚀所述钝化层以形成对应的通孔。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在所述栅绝缘层上对应所述栅线位置，形成栅绝缘层过孔。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

形成透明导电薄膜，通过构图工艺，在所述形成有通孔的钝化层上形成包括像素电极、栅线连接线以及数据线连接线的图形，其中所述漏极上的金属半导体化合物通过所述对应漏极的位置形成的通孔与所述像素电极电连接。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述金属薄膜层包括铜层或钛层。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述非晶半导体薄膜层包括α-硅、α-锗、α-砷化镓、α-硫化砷或α-硒层。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述金属半导体化合物包括铜的硅化物、铜的锗化物、铜与α-砷化镓的化合物、铜与α-硫化砷的化合物、铜与α-硒的化合物、钛的硅化物、钛的锗化物、钛与α-砷化镓的化合物、钛与α-硫化砷的化合物、钛与α-硒的化合物。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述金属薄膜层包括铜层。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述非晶半导体薄膜层包括α-硅层。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述金属半导体化合物包括铜的硅化物。

12.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述非晶半导体薄膜层的厚度为10Å-50Å。

13.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述退火温度在200℃-280℃之间。

14.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述退火步骤是在氮气气氛下进行的。

15.根据权利要求2-5中任一项所述的方法，其中所述有源层为金属氧化物层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述金属氧化物层包括InGaZnO、InSnZnO或ZnON半导体层。

17.使用根据权利要求1-16中任一项所述的制作阵列基板的方法制作的阵列基板。

18.一种显示装置，包括根据权利要求17所述的阵列基板。