[发明专利]一种制作阵列基板的方法及其阵列基板和显示装置

说明书

本发明涉及一种制作阵列基板的方法及其阵列基板和显示装置，其中制作阵列基板的方法可以包括：形成作为源漏极和数据线的金属薄膜层；在所述金属薄膜层上形成非晶半导体薄膜层；退火，以便将至少部分所述非晶半导体薄膜层转换成金属半导体化合物。通过将至少部分所述非晶半导体薄膜层转换成金属半导体化合物，形成的金属半导体化合物可以防止金属薄膜层例如低电阻金属Cu或Ti层在后续工艺中的氧化腐蚀，有助于制造使用Cu或Ti的金属氧化物薄膜晶体管结构。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及一种制作阵列基板的方法、使用该制作阵列基板的方法制作的阵列基板、和包括该阵列基板的显示装置。

背景技术

在现有的制作用于显示装置的薄膜晶体管的过程中，其中的电极（如栅极、源极、漏极）或电极引线（如栅线、数据线）通常需要使用低电阻金属（如Cu等）。但在使用这种金属的情况下，存在金属表面因氧化腐蚀而在诸多工序中受到制约的问题。换句话说，由于金属表面出现氧化腐蚀现象，而在诸多工序中限制了该金属的使用。

因此，在现有技术中迫切需要一种新的技术，来防止在制作包括薄膜晶体管的显示装置的过程中出现的金属电极表面氧化腐蚀。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种制作阵列基板的方法、使用该制作阵列基板的方法制作的阵列基板、和包括该阵列基板的显示装置，其能够解决或者至少缓解现有技术中存在的至少一部分缺陷。

根据本发明的第一个方面，提供一种制作阵列基板的方法，该方法可以包括下面的步骤：形成作为源漏极和数据线的金属薄膜层；在该金属薄膜层上形成非晶半导体薄膜层；退火，以便将至少部分该非晶半导体薄膜层转换成金属半导体化合物。

借助于本发明的制作阵列基板的方法，通过将至少部分该非晶半导体薄膜层转换成金属半导体化合物，形成的金属半导体化合物可以防止金属薄膜层例如低电阻金属Cu层表面在后续工艺中的氧化腐蚀。本发明的制作阵列基板的方法使得在使用例如低电阻金属Cu的氧化物薄膜晶体管的制造工序中既可以防止源漏处Cu表面的氧化，又可以制造例如氧化铟镓锌InGaZnO（IGZO）、氧化铟锡锌InSnZnO（ITZO）、氮掺杂的氧化锌ZnON等的金属氧化物薄膜晶体管。

在本发明的一个实施例中，制作阵列基板的方法还可以包括下面的步骤：形成光刻胶层，通过曝光、显影将源漏极和数据线区域之外的光刻胶去除；将该源漏极和数据线区域之外的金属半导体化合物干法刻蚀去除；将该源漏极和数据线区域之外的金属薄膜层湿法刻蚀去除；然后将剩余的光刻胶去除。

在本发明的另一个实施例中，制作阵列基板的方法还可以包括下面的步骤：在形成作为源漏极和数据线的金属薄膜层之前，在衬底上形成栅极和栅线、覆盖在该栅极和栅线上的栅绝缘层、以及覆盖在该栅绝缘层上的对应于该栅极区域的有源层。

在本发明的再一个实施例中，制作阵列基板的方法还可以包括下面的步骤：形成钝化层，并且在与漏极、栅线和数据线对应的位置刻蚀该钝化层以形成对应的通孔。

在本发明的又一个实施例中，制作阵列基板的方法还可以包括下面的步骤：在该栅绝缘层上对应该栅线位置，形成栅绝缘层过孔。

在本发明的再一个实施例中，制作阵列基板的方法还可以包括下面的步骤：形成透明导电薄膜，通过构图工艺，在该形成有通孔的钝化层上形成包括像素电极、栅线连接线以及数据线连接线的图形，其中该漏极上的金属半导体化合物通过该对应漏极的位置形成的通孔与该像素电极电连接。

在本发明的一个实施例中，其中该金属薄膜层可以包括铜层或钛层。

在本发明的另一个实施例中，其中该非晶半导体薄膜层可以包括α-硅、α-锗、α-砷化镓、α-硫化砷或α-硒层。