[发明专利]触控显示装置及其制备方法、电子设备有效

专利信息
申请号: 201510201023.3 申请日: 2015-04-24
公开(公告)号: CN104915052B 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 陈归;薛景峰 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;H01L21/768
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 代理人: 朱绘,张文娟
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示装置 及其 制备 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种触控显示装置,其特征在于,包括薄膜晶体管,依次形成于所述薄膜晶体管上的平坦层、公共电极、界面层、触控电极和保护层,以及形成于所述保护层上的连接电极和像素电极;

所述平坦层上开设有第一过孔,所述界面层上开设有第二过孔和与所述第一过孔相连通的第三过孔,所述保护层上开设有与所述第二过孔相连通的第四过孔和与所述第三过孔相连通的第五过孔;所有过孔通过同一次光刻工艺形成;

所述连接电极通过所述第四过孔连接所述触控电极,并通过所述第二过孔连接所述公共电极;

所述像素电极依次通过所述第五过孔、所述第三过孔和所述第一过孔连接所述薄膜晶体管的数据线金属层。

2.根据权利要求1所述的触控显示装置,其特征在于,所述连接电极和所述像素电极同层设置。

3.根据权利要求1或2所述的触控显示装置,其特征在于,所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

4.根据权利要求3所述的触控显示装置,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:

N型金属氧化半导体;

位于所述N型金属氧化半导体上的栅极绝缘层;

位于所述栅极绝缘层上的扫描线金属层;

位于所述扫描线金属层上的层间绝缘层;以及

所述数据线金属层,其位于所述层间绝缘层上。

5.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1至4中任一项所述的触控显示装置。

6.一种用于制备触控显示装置的方法,其特征在于,包括:

提供薄膜晶体管;

依次在所述薄膜晶体管上形成平坦层、公共电极、界面层、触控电极和保护层;

利用同一次光刻工艺,在所述平坦层上形成第一过孔,在所述界面层上形成第二过孔和与所述第一过孔相连通的第三过孔,并在所述保护层上形成与所述第二过孔相连通的第四过孔和与所述第三过孔相连通的第五过孔;

在所述保护层上形成连接电极和像素电极,使得所述连接电极通过所述第四过孔连接所述触控电极,还通过所述第二过孔连接所述公共电极;并使得所述像素电极依次通过所述第五过孔、第三过孔和第一过孔连接所述薄膜晶体管的数据线金属层。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在形成所述连接电极和所述像素电极时,使得所述连接电极和所述像素电极同层设置。

8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括形成所述薄膜晶体管的方法,包括:

提供N型金属氧化半导体;

在所述N型金属氧化半导体上形成栅极绝缘层;

在所述栅极绝缘层上形成扫描线金属层;

在所述扫描线金属层上形成层间绝缘层;

在所述层间绝缘层上形成所述数据线金属层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510201023.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top