[发明专利]触控显示装置及其制备方法、电子设备有效
申请号: | 201510201023.3 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN104915052B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 陈归;薛景峰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;H01L21/768 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人: | 朱绘,张文娟 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制备 方法 电子设备 | ||
1.一种触控显示装置,其特征在于,包括薄膜晶体管,依次形成于所述薄膜晶体管上的平坦层、公共电极、界面层、触控电极和保护层,以及形成于所述保护层上的连接电极和像素电极;
所述平坦层上开设有第一过孔,所述界面层上开设有第二过孔和与所述第一过孔相连通的第三过孔,所述保护层上开设有与所述第二过孔相连通的第四过孔和与所述第三过孔相连通的第五过孔;所有过孔通过同一次光刻工艺形成;
所述连接电极通过所述第四过孔连接所述触控电极,并通过所述第二过孔连接所述公共电极;
所述像素电极依次通过所述第五过孔、所述第三过孔和所述第一过孔连接所述薄膜晶体管的数据线金属层。
2.根据权利要求1所述的触控显示装置,其特征在于,所述连接电极和所述像素电极同层设置。
3.根据权利要求1或2所述的触控显示装置,其特征在于,所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
4.根据权利要求3所述的触控显示装置,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:
N型金属氧化半导体;
位于所述N型金属氧化半导体上的栅极绝缘层;
位于所述栅极绝缘层上的扫描线金属层;
位于所述扫描线金属层上的层间绝缘层;以及
所述数据线金属层,其位于所述层间绝缘层上。
5.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1至4中任一项所述的触控显示装置。
6.一种用于制备触控显示装置的方法,其特征在于,包括:
提供薄膜晶体管;
依次在所述薄膜晶体管上形成平坦层、公共电极、界面层、触控电极和保护层;
利用同一次光刻工艺,在所述平坦层上形成第一过孔,在所述界面层上形成第二过孔和与所述第一过孔相连通的第三过孔,并在所述保护层上形成与所述第二过孔相连通的第四过孔和与所述第三过孔相连通的第五过孔;
在所述保护层上形成连接电极和像素电极,使得所述连接电极通过所述第四过孔连接所述触控电极,还通过所述第二过孔连接所述公共电极;并使得所述像素电极依次通过所述第五过孔、第三过孔和第一过孔连接所述薄膜晶体管的数据线金属层。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在形成所述连接电极和所述像素电极时,使得所述连接电极和所述像素电极同层设置。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括形成所述薄膜晶体管的方法,包括:
提供N型金属氧化半导体;
在所述N型金属氧化半导体上形成栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上形成扫描线金属层;
在所述扫描线金属层上形成层间绝缘层;
在所述层间绝缘层上形成所述数据线金属层。
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