[发明专利]触控显示装置及其制备方法、电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种触控显示装置，还涉及用于制备该触控显示装置的方法以及具有该触控显示装置的电子设备。

背景技术

随着触控技术的发展，完全内嵌式触控(Full In-Cell Touch)显示装置的应用越来越广泛。现在技术中完全内嵌式触控显示装置包括依次设置的薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)、平坦层(PLN层)、公共电极、界面层(IL层)、触控电极、保护层以及像素电极。具体地，触控电极通过开设于界面层上的过孔一连接公共电极。像素电极依次通过形成于保护层上的过孔二、形成于界面层上的过孔三和形成于平坦层上的过孔四连接薄膜晶体管的数据线金属层。

在制备上述完全内嵌式触控显示装置时，为了使触控电极与公共电极电连接，需要通过第一次光刻工艺形成过孔一，为了使像素电极与薄膜晶体管的数据线金属层电连接，需要通过第二次光刻工艺形成过孔二、过孔三和过孔四。过孔一、过孔二、过孔三和过孔四的形成需要两次光刻工艺才能完成。因此，上述完全内嵌式触控显示装置的制备工艺复杂，工艺误差较大，并且生产周期较长。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：在制备现有技术中的完全内嵌式触控显示装置时，用于连接触控电极和公共电极的过孔一的形成，以及用于连接像素电极和薄膜晶体管的数据线金属层的过孔二、过孔三和过孔四的形成需要两次光刻工艺才能完成。因此，现有技术中的完全内嵌式触控显示装置的制备工艺复杂，工艺误差较大，并且生产周期较长。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种触控显示装置及其制备方法、电子设备。

根据本发明的第一个方面，提供了一种触控显示装置，其包括薄膜晶体管，以及依次形成于所述薄膜晶体管上的平坦层、公共电极、界面层、触控电极、保护层、连接电极和像素电极。所述平坦层上开设有第一过孔，所述界面层上开设有第二过孔和与所述第一过孔相连通的第三过孔，所述保护层上开设有与所述第二过孔相连通的第四过孔和与所述第三过孔相连通的第五过孔；所有过孔通过同一次光刻工艺形成。所述连接电极通过所述第四过孔连接所述触控电极，并通过所述第二过孔连接所述公共电极。所述像素电极依次通过所述第五过孔、所述第三过孔和所述第一过孔连接所述薄膜晶体管的数据线金属层。

优选的是，所述连接电极和所述像素电极同层设置。

优选的是，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

优选的是，所述薄膜晶体管包括：

N型金属氧化半导体；

位于所述N型金属氧化半导体上的栅极绝缘层；

位于所述栅极绝缘层上的扫描线金属层；

位于所述扫描线金属层上的层间绝缘层；以及

所述数据线金属层，其位于所述层间绝缘层上。

根据本发明的第二个方面，提供了一种具有上述触控显示装置的电子设备。

根据本发明的第三个方面，提供了一种用于制备上述触控显示装置的方法，其包括：

提供薄膜晶体管；

依次在所述薄膜晶体管上形成平坦层、公共电极、界面层、触控电极和保护层；

利用同一次光刻工艺，在所述平坦层上形成第一过孔，在所述界面层上形成第二过孔和与所述第一过孔相连通的第三过孔，并在所述保护层上形成与所述第二过孔相连通的第四过孔和与所述第三过孔相连通的第五过孔；

在所述保护层上形成连接电极和像素电极，使得所述连接电极通过所述第四过孔连接所述触控电极，还通过所述第二过孔连接所述公共电极；并使得所述像素电极依次通过所述第五过孔、第三过孔和第一过孔连接所述薄膜晶体管的数据线金属层。

优选的是，在形成所述连接电极和所述像素电极时，使得所述连接电极和所述像素电极同层设置。

优选的是，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

优选的是，所述方法还包括形成所述薄膜晶体管的方法，具体包括：

提供N型金属氧化半导体；

在所述N型金属氧化半导体上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成扫描线金属层；

在所述扫描线金属层上形成层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上形成所述数据线金属层。

与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：