[发明专利]用于芯片嵌入的晶片基后道工序工艺在审
申请号: | 201510202154.3 | 申请日: | 2015-02-04 |
公开(公告)号: | CN104966733A | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | P·加尼策尔;M·雅各布;A·策希曼 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/45 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蒋骏;胡莉莉 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 芯片 嵌入 晶片 基后道 工序 工艺 | ||
1.一种半导体器件,包括:
半导体本体,包括漂移区和邻近于该漂移区布置的栅极电极;以及
接触结构,在半导体本体的漂移区之上提供且具有第一金属层、在该第一金属层之上的粘附层和在该粘附层之上的第二金属层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括:
邻近于该栅极电极布置的另外的漂移区,从而使得栅极电极被布置在两个漂移区之间。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,进一步包括:
另外的接触结构,在半导体本体的该另外的漂移区之上提供且具有第一金属层、在该第一金属层之上的粘附层和在该粘附层之上的第二金属层。
4.根据权利要求3所述的半导体器件,
其中第二接触结构与第一接触结构在横向上分离。
5.根据权利要求3所述的半导体器件,进一步包括:
栅极部分,在接触结构之间在半导体本体的栅极电极之上提供并且电耦合到该栅极电极。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,进一步包括:
介电材料,在接触结构之间提供并且覆盖该栅极部分。
7.根据权利要求6所述的半导体器件,进一步包括:
钝化材料,在接触结构之间在介电材料之上提供。
8.根据权利要求3所述的半导体器件,
其中接触结构的第二金属层和另外的接触结构的第二金属层的上表面是齐平的。
9.根据权利要求7所述的半导体器件,
其中钝化材料被提供在接触结构之上,由此将接触结构密封。
10.根据权利要求9所述的半导体器件,进一步包括:
在接触结构中的每一个的上表面之上的钝化材料中提供的开口,其将接触结构中的每一个的上表面暴露。
11.根据权利要求5所述的半导体器件,进一步包括:
在半导体本体之上提供并且电耦合到该栅极部分的另外的栅极部分,该另外的栅极部分被介电材料覆盖。
12.根据权利要求11所述的半导体器件,进一步包括:
栅极接触结构,在半导体本体之上提供且具有第一金属层、在该第一金属层之上的粘附层和在该粘附层之上的第二金属层,其中栅极接触结构的该第一金属层与栅极部分和另外的栅极部分电耦合。
13.根据权利要求1所述的半导体器件,
其中粘附层是反应保护和粘附层。
14.一种半导体器件,包括:
半导体本体,包括第一漂移区、第二漂移区和在所述漂移区之间布置的栅极电极;
第一接触结构,在该半导体本体的第一漂移区之上提供并且具有第一金属层和在该第一金属层之上的第二金属层;
第二接触结构,在该半导体本体的第二漂移区之上提供并且具有第一金属层和在该第一金属层之上的第二金属层,
其中该第二接触结构与第一接触结构在横向上分离。
15.根据权利要求14所述的半导体器件,进一步包括:
在接触结构中的每一个之内在第一金属层与第二金属层之间提供的粘附层。
16.根据权利要求14所述的半导体器件,进一步包括:
栅极部分,在接触结构之间在半导体本体的栅极电极之上提供并且电耦合到该栅极电极。
17.根据权利要求16所述的半导体器件,进一步包括:
在接触结构之间提供并且覆盖该栅极部分的介电材料。
18.根据权利要求17所述的半导体器件,进一步包括:
在接触结构之间在介电材料之上提供的钝化材料。
19.根据权利要求18所述的半导体器件,
其中钝化材料被提供在接触结构之上,由此将接触结构密封。
20.根据权利要求19所述的半导体器件,进一步包括:
在接触结构中的每一个的上表面之上的钝化材料中提供的开口,其将接触结构中的每一个的上表面暴露。
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