[发明专利]光学传感器

权利要求书

1.一种光学传感器(100)，包括：

导波区(200)，其包括核心层(27)，该核心层用于引导入射光(8)；

光感测区域(55)，该光感测区域用于感测发射光(81-83)并且将所感测到的发射光转换成数据信息；和

互连区(73)；

其特征在于，所述光感测区域(55)位于半导体块(511)中处于前侧(S1)与背侧(S2)之间，并且所述光感测区域包括多接合光二极管，其中

所述互连区(73)电耦合所述多接合光二极管，用于进一步处理和/或输出所述数据信息，并且所述互连区在所述半导体块(511)的前侧(S1)下方，并且

所述导波区(200)在所述半导体块的背侧(S2)上方。

2.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该导波区包括上包覆层(28)与下包覆层(282)，以及该下包覆层与该上包覆层的厚度之比例为1至2。

3.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该多接合光二极管包括最接近该前侧的第一接合以及与该前侧相距最远的第二接合，以及该第一接合至该第二接合的距离2微米至3微米。

4.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该多接合光二极管包括第一水平接合，其比第二水平接合更接近该前侧，以及该第一水平接合小于该第二水平接合。

5.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该核心层包括第一折射率，以及包覆层包括第二折射率，该第二折射率小于该第一折射率。

6.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该导波区包括滤光层(30)，该滤光层位于该背侧与该核心层之间。

7.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该多接合光二极管包括：

第一接合，其最近接该前侧；

第二接合，其最接近该背侧；以及

第三接合，其位于该第一接合与该第二接合之间，

其中该背侧至该第一接合的距离、该背侧至该第二接合以及该背侧至该第三接合的距离比例介于一范围内自4：1：2至9：1：3。

8.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该多接合光二极管包括第二接合，其与该背侧相距第一预定距离，以及该第一预定距离的范围为200纳米至500纳米。

9.如权利要求8所述的光学传感器，其特征在于，该多接合光二极管包括第一接合，其与该背侧相距第二预定距离，以及该第二预定距离为2.5微米至3微米。

10.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，包括在该核心层上方的包覆层，以及该包覆层包括纳米槽。

11.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，包括在该核心层上方的覆盖层，该覆盖层包括金属或金属氧化物。

12.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，包括在该核心层上方的覆盖层，该覆盖层包括铝或氧化铝。

13.一种光学传感器(105)，包括：

导波区(200)，其包括核心层(27)，该核心层用于引导入射光(8)；

光感测区域(55)，该光感测区域用于感测发射光(81-83)并且将所感测到的发射光转换成数据信息；以及

互连区(73)；

其特征在于，所述光感测区域(55)位于半导体块(511)中处于前侧(S1)与背侧(S2)之间，并且所述光感测区域包括多接合光二极管，其中，

所述互连区(73)电耦合所述多接合光二极管，用于进一步处理和/或输出所述数据信息，并且

所述互连区位于该光感测区域(55)与该导波区(200)之间，并且

所述导波区(200)在所述互连区(73)上方。

14.如权利要求13所述的光学传感器，其特征在于，该导波区包括包覆层。

15.如权利要求14所述的光学传感器，其特征在于，该包覆层包括纳米槽。

16.如权利要求14所述的光学传感器，其特征在于，该包覆层包括样品放置部(23)，并且其中，该样品放置部(23)用于接收包括单分子的样品(231)。

17.如权利要求13所述的光学传感器，其特征在于，该核心层包括光栅结构。