[发明专利]光学传感器有效
申请号: | 201510202657.0 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN105006478B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 游腾健 | 申请(专利权)人: | PGI股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 李昕巍,赵根喜 |
地址: | 开曼群岛大开曼*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 传感器 | ||
技术领域
本公开涉及光学传感技术领域,尤其涉及光学传感器。
背景技术
光学传感器广泛适用于不同的应用与产品中,例如摄影机、扫描器、复印机等。在不同技术领域中所使用的光学传感器设计为因应不同目的。不同形式的改良应用于合适的技术领域中。
为了改良光学传感器的效能与尺寸缩小,使用不同的光学传感器的设计。评估效能的方式之一为量测光学传感器的量子效率。量子效率为撞击光学元件的光子百分比,其产生电荷载体。其为光学传感器对于光的电子敏感性的量测。
发明内容
本公开的一些实施例提供一种光学传感器,其包括半导体块,其包括前侧与背侧;导波区,其位于该半导体块的该背侧上方,其包括核心层,该导波区用于引导入射光;以及光感测区域,其位于该半导体块中,其包括多接合光二极管,该光感测区域用于感测发射光。
本公开的一些实施例提供一种光学传感器,其包括半导体块,其包括前侧与背侧;导波区,其包括核心层,该导波区用于引导入射光;光感测区域,该光感测区域用于感测发射光;以及互连区,其位于该前侧上方,该互连区用于耦合该光感测区域,其中该互连区位于该光感测区域与该导波区之间。通过本发明提供的光学传感器,通过在生物样品与互连之间放置光二极管,从影像传感器的电子元件分离光学元件。金属互连将来自样品的光开通,因而降低光的损失,并且可达到高量子效率。随着光感测区域越接近样品,光感测区域暴露至更高强度的待测光。
附图说明
由以下详细说明与附随附图得以最佳了解本公开的各方面。注意,根据产业的标准实施方式,各种特征并非依比例绘示。实际上,为了清楚讨论,可任意增大或缩小各种特征的尺寸。
图1至4为根据本公开的一些实施例说明光学传感器的剖面图。
图5至29为根据本公开的一些实施例说明制造光学传感器的方法的操作的剖面图。
图30至31为根据本公开的一些实施例说明光学传感器的剖面图。
图32为根据本公开的一些实施例说明光学传感器的剖面图。
附图标记说明:
8 光
20入射部
21光栅结构
23样品放置部
25通路结构
27介电层、核心层
28介电层
28上包覆层
30滤光层
31阻层
33离子植入操作
51磊晶区
52隔离区
53源极区域
54漏极区域
55光感测区域
56栅极介电
57栅极电极
58栅极结构
59晶体管
70介电层
71第一层通路、接点
72互连
73互连区
75层间介电(ILD)层
81光
82光
83光
88反射光
100 光学传感器
105 光学传感器
200 导波区
231 样品
278 导波部
281 覆盖层
282 介电层、下包覆层
511 半导体块
551、559、558 接点插塞
551、558、559 重掺杂区域
552 浅槽区
553 区域
554 中间槽区
555 区域
557 深槽区
561 栅极介电层
570 掺杂区
571 栅极电极层
578 高掺杂区
579 高掺杂区
800 前侧光学传感器
S1前侧
S2背侧
S23 侧壁
S27 上表面
S45、S235、S534、S523界面
S55 顶部表面
S57 顶部表面
S100暴露部
S105暴露部
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的