[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括位于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极和有源层，其特征在于，所述有源层包括非掺杂非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层；

所述源极与所述第一掺杂非晶硅层接触，所述漏极与所述第二掺杂非晶硅层接触；或，所述漏极与所述第一掺杂非晶硅层接触，所述源极与所述第二掺杂非晶硅层接触；

所述源极和所述漏极位于不同的水平面上，且所述源极与所述漏极之间通过所述非掺杂非晶硅层隔开。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述非掺杂非晶硅层的断面呈台阶状，所述台阶包括竖直部分、第一水平部分和第二水平部分，所述第一掺杂非晶硅层位于所述第一水平部分的上方或下方，所述第二掺杂非晶硅层位于所述第二水平部分的下方或上方，所述源极和所述漏极之间通过所述竖直部分隔开；其中：

所述断面指沿垂直于所述衬底基板，且由所述源极指向所述漏极方向的截面。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极为第一栅极，所述栅极绝缘层为第一栅极绝缘层，所述衬底基板上依次设置第一栅极、第一栅极绝缘层、漏极、第一掺杂非晶硅层、非掺杂非晶硅层、第二掺杂非晶硅层和源极。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括依次位于所述源极上的第二栅极绝缘层和第二栅极，其中，所述第二栅极通过贯穿所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层的过孔与所述第一栅极电连接。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极为第一栅极，所述栅极绝缘层为第一栅极绝缘层，所述衬底基板上依次设置第一栅极、第一栅极绝缘层、源极、第一掺杂非晶硅层、非掺杂非晶硅层、第二掺杂非晶硅层和漏极。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括依次位于所述漏极上的第二栅极绝缘层和第二栅极，其中，所述第二栅极通过贯穿所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层的过孔与所述第一栅极电连接。

7.根据权利要求4或6所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述第二栅极上的钝化层。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1-7任一权项所述的薄膜晶体管。

9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求8所述的阵列基板。

10.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上通过构图工艺依次制作第一栅极层和第一栅极绝缘层；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作漏极；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作与所述漏极接触的第一掺杂非晶硅层；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作非掺杂非晶硅层；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作第二掺杂非晶硅层，使得所述第二掺杂非晶硅层与后续制作的源极接触；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作源极，其中，所述源极与所述漏极之间通过所述非掺杂非晶硅层隔开；

或，

在衬底基板上通过构图工艺依次制作第一栅极层和第一栅极绝缘层；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作源极；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作与所述源极接触的第一掺杂非晶硅层；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作非掺杂非晶硅层；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作第二掺杂非晶硅层，使得所述第二掺杂非晶硅层与后续制作的漏极接触；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作漏极，其中，所述漏极与所述源极之间通过所述非掺杂非晶硅层隔开。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作源极，或，所述在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作漏极之后，所述方法还包括：

在制作有所述源极或所述漏极的衬底基板上通过构图工艺制作第二栅极绝缘层；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作第二栅极，其中，所述第二栅极通过贯穿所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层的过孔与所述第一栅极电连接。