[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

平板显示器或薄膜太阳能电池等近年来所制造的电气产品都在基板上配置有薄膜晶体管，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。

随着显示技术的发展，对超窄边框甚至无边框，超高开口率的显示面板的需求越来越多，这就要求将TFT的尺寸设计的较小。如图1所示，现有技术非晶硅(a-Si)TFT包括依次位于衬底基板10上的栅极11、栅极绝缘层12、有源层13以及源极14和漏极15，其中，有源层13包括非掺杂非晶硅层131和掺杂非晶硅层132、133，源极14与掺杂非晶硅层132接触，漏极15与掺杂非晶硅层133接触以降低电阻。图1所示的TFT制作过程中均采用构图工艺，构图工艺包括曝光等工艺过程，若要将该TFT的尺寸减小，则需要增大TFT的宽长比(W/L)，而现有技术L值受曝光工艺的影响无法进一步减小，进而TFT尺寸很难进一步减小。

综上所述，现有技术薄膜晶体管尺寸无法进一步减小。

发明内容

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以减小薄膜晶体管的尺寸。

本发明实施例提供的一种薄膜晶体管，包括位于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极和有源层，其中，所述有源层包括非掺杂非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层；

所述源极/漏极与所述第一掺杂非晶硅层接触，所述漏极/源极与所述第二掺杂非晶硅层接触，所述源极和所述漏极位于不同的水平面上，且所述源极与所述漏极之间通过所述非掺杂非晶硅层隔开。

由本发明实施例提供的薄膜晶体管，包括位于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极和有源层，其中，所述有源层包括非掺杂非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层，所述源极/漏极与所述第一掺杂非晶硅层接触，所述漏极/源极与所述第二掺杂非晶硅层接触，所述源极和所述漏极位于不同的水平面上，且所述源极与所述漏极之间通过所述非掺杂非晶硅层隔开，由于本发明实施例中薄膜晶体管的源极和漏极之间通过非掺杂非晶硅层隔开，薄膜晶体管W/L中的L值的大小是通过非掺杂非晶硅层的厚度大小控制，与现有技术L值受曝光工艺控制无法进一步减小相比，本发明具体实施例中非掺杂非晶硅层的厚度不受曝光工艺的影响，L值可以减小，从而减小薄膜晶体管的尺寸。

较佳地，所述非掺杂非晶硅层的断面呈台阶状，所述台阶包括竖直部分、第一水平部分和第二水平部分，所述第一掺杂非晶硅层位于所述第一水平部分的上方或下方，所述第二掺杂非晶硅层位于所述第二水平部分的下方或上方，所述源极和所述漏极之间通过所述竖直部分隔开。

较佳地，所述栅极为第一栅极，所述栅极绝缘层为第一栅极绝缘层，所述衬底基板上依次设置第一栅极、第一栅极绝缘层、漏极、第一掺杂非晶硅层、非掺杂非晶硅层、第二掺杂非晶硅层和源极。

较佳地，还包括依次位于所述源极上的第二栅极绝缘层和第二栅极，其中，所述第二栅极通过贯穿所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层的过孔与所述第一栅极电连接。

较佳地，所述栅极为第一栅极，所述栅极绝缘层为第一栅极绝缘层，所述衬底基板上依次设置第一栅极、第一栅极绝缘层、源极、第一掺杂非晶硅层、非掺杂非晶硅层、第二掺杂非晶硅层和漏极。

较佳地，还包括依次位于所述漏极上的第二栅极绝缘层和第二栅极，其中，所述第二栅极通过贯穿所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层的过孔与所述第一栅极电连接。

较佳地，还包括位于所述第二栅极上的钝化层。

本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括上述的薄膜晶体管。

本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板。

本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其中，所述方法包括：

在衬底基板上通过构图工艺依次制作第一栅极层和第一栅极绝缘层；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作漏极；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作与所述漏极接触的第一掺杂非晶硅层；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作非掺杂非晶硅层；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作第二掺杂非晶硅层，使得所述第二掺杂非晶硅层与后续制作的源极接触；