[发明专利]高性能的鳍式场效应晶体管

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管FinFET，包括：

至少第一鳍，具有相对的第一主面和第二主面，并且由应变硅制成；

至少第一PMOS晶体管，形成在所述第一鳍的所述第一主面和所述第二主面上；

至少第二鳍，具有相对的第三主面和第四主面，并且由所述应变硅制成；

至少第一NMOS晶体管，形成在所述第二鳍的所述第三主面和所述第四主面上；

至少第三鳍，具有相对的第五主面和第六主面，并且完全由具有比应变硅的空穴迁移率更大的空穴迁移率的第二半导体材料制成；以及

至少第二PMOS晶体管，形成在所述第三鳍的所述第五主面和所述第六主面上。

2.根据权利要求1所述的FinFET，其中所述第一鳍、所述第二鳍和所述第三鳍形成于在硅衬底上形成的硅锗应变松弛阻碍物上。

3.根据权利要求1所述的FinFET，其中所述具有比应变硅的空穴迁移率更大的空穴迁移率的半导体材料是锗或硅锗。

4.根据权利要求1所述的FinFET，其中所述具有比应变硅的空穴迁移率更大的空穴迁移率的半导体材料是III-V族化合物。

5.根据权利要求4所述的FinFET，其中所述III-V族化合物是锑化铟或锑化镓。

6.根据权利要求1所述的FinFET，其中所述相对的第一主面和第二主面平行，所述相对的第三主面和第四主面平行，以及所述相对的第五主面和第六主面平行。

7.根据权利要求1所述的FinFET，包括多个第一鳍、多个第二鳍和多个第三鳍。

8.一种鳍式场效应晶体管FinFET，包括：

硅衬底；

至少第一鳍，由硅制成，形成在所述硅衬底上，所述第一鳍具有相对的第一主面和第二主面；

至少第一MOS晶体管，形成在所述第一鳍的所述第一主面和所述第二主面上；

硅锗应变松弛阻碍物，形成在其中不形成所述第一鳍的硅衬底上；

至少第二鳍，形成在所述应变松弛阻碍物上，所述第二鳍具有相对的第三主面和第四主面并且完全由具有比应变硅的电子迁移率更大的电子迁移率的第一半导体材料制成；

至少第一NMOS晶体管，形成在所述第二鳍的所述第三主面和所述第四主面上；

至少第三鳍，形成在所述应变松弛阻碍物上，所述第三鳍具有相对的第五主面和第六主面并且由具有比硅的空穴迁移率更大的空穴迁移率的第二半导体材料制成；以及

至少一个PMOS晶体管，形成在所述第三鳍的所述第五主面和所述第六主面上。

9.根据权利要求8所述的FinFET，其中所述具有比应变硅的电子迁移率更大的电子迁移率的第一半导体材料是锗、硅锗、或III-V族化合物。

10.根据权利要求8所述的FinFET，其中所述具有比硅的空穴迁移率更大的空穴迁移率的第二半导体材料是锗、硅锗、或III-V族化合物。

11.根据权利要求8所述的FinFET，其中所述第一MOS晶体管是PMOS晶体管。

12.根据权利要求8所述的FinFET，其中所述第一MOS晶体管是NMOS晶体管。

13.根据权利要求8所述的FinFET，包括多个第一鳍、多个第二鳍和多个第三鳍。