[发明专利]磁阻组件及磁阻装置

权利要求书

1.一种磁阻组件，包括：

一水平磁阻层，设置在一基板的一表面上且沿着该水平磁阻层的一延伸方向具有一第一侧与和该第一侧相对的一第二侧；及

一非平行磁阻层，是不平行于该基板的该表面且是从该水平磁阻层的该第一侧处与该水平磁阻层实体连接。

2.如权利要求1所述的磁阻组件，其中该水平磁阻层与该非平行磁阻层的阻值会根据一外加磁场的改变而改变。

3.如权利要求1所述的磁阻组件，其中该水平磁阻层与该非平行磁阻层包括铁磁材料、反铁磁材料、非铁磁性金属材料、穿隧氧化物材料之一或其组合。

4.如权利要求1所述的磁阻组件，其中该非平行磁阻层是从该水平磁阻层的该第一侧向上或向下延伸。

5.如权利要求1所述的磁阻组件，其中该非平行磁阻层为长条形或包括多个离散子部。

6.如权利要求1所述的磁阻组件，其中该非平行磁阻层由一直部以及实体连接至该水平磁阻层的一曲部所构成。

7.如权利要求1所述的磁阻组件，其中该非平行磁阻层是由一直部以及实体连接至该水平磁阻层的一刻面部所构成。

8.如权利要求1所述的磁阻组件，更包括：

另一非平行磁阻层，从该水平磁阻层的该第二侧向上或向下延伸且与该水平磁阻层实体连接。

9.如权利要求1所述的磁阻组件，更包括：

一向下凹陷的下沟槽，

其中该非平行磁阻层是设置在该下沟槽的一侧壁上且从该水平磁阻层向下延伸。

10.如权利要求9所述的磁阻组件，其中该向下凹陷的下沟槽的该侧壁相对于该基板的该表面形成一角度，此角度是等于或小于90度。

11.如权利要求9所述的磁阻组件，更包括：

一底磁阻层，设置在该向下凹陷的下沟槽的一底部上，

其中该底磁阻层是与该非平行磁阻层实体连接。

12.如权利要求11所述的磁阻组件，其中该底磁阻层完全覆盖该向下凹陷的下沟槽的该底部。

13.如权利要求11所述的磁阻组件，其中该底磁阻层不完全覆盖该向下凹陷的下沟槽的该底部。

14.如权利要求11所述的磁阻组件，其中以俯视角度观之，该向下凹陷的下沟槽的形状为卵形、圆角化的矩形或至少一侧呈锯齿状的矩形。

15.如权利要求1所述的磁阻组件，更包括：

一向上突出的沟槽，

其中该水平磁阻层是设置在该向上突出的沟槽的一底部上，该非平行磁阻层是设置在该向上突出的沟槽的一侧壁上并从该水平磁阻层的该第一侧向上延伸。

16.如权利要求15所述的磁阻组件，其中该向上突出的沟槽的该侧壁相对于该基板的该表面形成一角度，此角度是等于或小于90度。

17.如权利要求15所述的磁阻组件，更包括：

另一非平行磁阻层，

其中该另一非平行磁阻层是设置在该向上突出的沟槽的一另一侧壁上并从该水平磁阻层的该第二侧向上延伸。

18.如权利要求15所述的磁阻组件，其中以俯视角度观之，该向上突出的上沟槽的形状为卵形、圆角化的矩形或至少一侧呈锯齿状的矩形。

19.如权利要求1所述的磁阻组件，更包括：

在该水平磁阻层的该第一侧处的一向下凹陷的第一下沟槽及在该水平磁阻层的该第二侧处的一向下凹陷的第二下沟槽；及

另一非平行磁阻层，是与该水平磁阻层实体连接，

其中该非平行磁阻层是设置在该向下凹陷的第一下沟槽的一侧壁上并从该第一侧向下延伸，该另一非平行磁阻层是设置在该向下凹陷的第二下沟槽的一侧壁上并从该第二侧向下延伸。

20.如权利要求1所述的磁阻组件，更包括：

一向下凹陷的下沟槽或一向上突出的上沟槽，

其中该非水平磁阻层位在该向下凹陷的下沟槽或该向上突出的上沟槽的一侧壁上的至少一部分的厚度是大于该水平磁阻层的厚度。