[发明专利]磁阻组件及磁阻装置

说明书

技术领域

本发明是关于磁阻组件，尤其是具有实质上平行于基板的表面的水平磁阻层与不平行于基板表面的非平行磁阻层的磁阻组件。

背景技术

磁阻组件中所包括的磁阻材料可因应磁场强度的变化而改变其电阻值，目前大量地应用于运动产品、汽车、马达、通讯产品中。常见的磁阻材料可依其作用方式的差异以及灵敏度的不同而分为异向性磁阻(anisotropic magnetoresistance，AMR)、巨磁阻(giant magnetoresistance，GMR)及穿隧磁阻(tunneling magnetoresistance，TMR)等类型。

迄今，无论所用的磁阻材料为何，能量测三维磁场变化的磁阻装置大多需要将量测不同方向的多个磁阻装置藉由封装而整合在一起，这使得成本上升、装置的良率下降以及封装的困难度增加。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种能被用于所有磁阻装置的磁阻组件。相较于传统的磁阻组件，本发明的磁阻组件借着采用非平行磁阻层与水平磁阻层的组合而提供较佳的组件效能。

本发明提供一种磁阻组件，其包括水平磁阻层与非平行磁阻层。水平磁阻层是设置在基板的表面上且沿着其延伸方向具有第一侧与和第一侧相对的第二侧。非平行磁阻层是不平行该基板的该表面且是从该水平磁阻层的该第一侧处与该水平磁阻层实体连接。

在本发明的一实施例中，该非平行磁阻层是设置在一向下凹陷的下沟槽或一向上突出的上沟槽的侧壁上并从该水平磁阻层的该第一侧向下或向上延伸。

在本发明的一实施例中，该向下凹陷的下沟槽或该向上突出的上沟槽的该侧壁相对于该基板的该表面形成等于或小于90度的一角度。

在本发明的一实施例中，该磁阻组件更包括一转角部，该转角部是由一部分的该水平磁阻层与一部分的该非平行磁阻层所构成。

在本发明的一实施例中，该转角部具有圆角化的形状或包括多个刻面。

在本发明的一实施例中，该向下凹陷的下沟槽的一底部是部分地或完全地被一底磁阻层所覆盖。

在本发明的一实施例中，以俯视角度观之，该向下凹陷的下沟槽或该向上突出的上沟槽的形状为卵形、圆角化的矩形或至少一侧呈锯齿状的矩形。

在本发明的一实施例中，该非水平磁阻层位于该向下凹陷的下沟槽或该向上突出的上沟槽的该侧壁上的至少一部分的厚度是大于该水平磁阻层的厚度。

本发明亦提供一种磁阻装置，其包括本发明的磁阻组件。

附图说明

图1显示根据本发明一实施例的Z轴磁阻感测组件的立体图。

图2显示根据本发明另一实施例的Z轴磁阻感测组件的的立体图。

图3显示根据本发明另一实施例的Z轴磁阻感测组件的立体图。

图3A显示图3的Z轴磁阻感测组件的上视图。

图4显示分别沿着图1、图2与图3中的A-A’、B-B’与D-D’切线所获得的横剖面的示意图。

图4A显示图4中的横剖面的另一实施例。

图4B显示图4中的横剖面的更另一实施例。

图5显示沿着图3中的C-C’切线所获得的横剖面的示意图。

图6显示根据本发明更另一实施例的Z轴磁阻感测组件的立体图。

图7A显示沿着图6中的E-E’切线所获得的横剖面的示意图。

图7B显示沿着图6中的F-F’切线所获得的横剖面的示意图。

图8A显示图7A的横剖面的另一实施例。

图8B显示图7B的横剖面的另一实施例。

图9A-9C显示根据本发明其它实施例的Z轴磁阻感测组件的平面图。

图10A-10B显示根据本发明实施例的Z轴磁阻感测装置，此装置包括由本发明实施例的Z轴磁阻感测组件所组成的电桥配置。

图11显示根据本发明一实施例的磁阻感测组件，其中此组件包括至少一沟槽。

图12A显示根据本发明一实施例沿着图11的切线G-G’所取的横剖面图。

图12B显示图12A的转角部C的放大图。

图12B*显示转角部C的另一实施例，其中转角部C具有凹面轮廓。

图12C显示根据本发明另一实施例沿着图11的切线G-G’所取的另一横剖面图。

图12D显示根据本发明更另一实施例沿着图11的切线G-G’所取的更另一横剖面图。

图13显示根据本发明的一变化实施例的横剖面图。