[发明专利]散热半导体芯片封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造散热半导体芯片封装件的方法，所述方法包括：

将半导体芯片的第一表面附接至绝缘膜上；

将涂布液注入到所述半导体芯片的第二表面上以形成直接接触所述半导体芯片的所述第二表面的液化的涂布层；以及

固化所述液化的涂布层以形成直接接触所述半导体芯片的散热层，

其中所述涂布液包括用于散热的液化的模塑混合物和细氧化铝颗粒。

2.权利要求1所述的方法，其中固化所述涂布层包括进行预固化第一退火时间以及随后进行后固化第二退火时间，其中所述第二退火时间长于所述第一退火时间。

3.权利要求1所述的方法，其中将所述半导体芯片的所述第一表面附接至所述绝缘膜上还包括将环氧模塑混合物填充至所述绝缘膜和所述半导体芯片之间的空间中。

4.权利要求3所述的方法，其中填充所述环氧模塑混合物还包括进行用于固化所述环氧模塑混合物的预固化，以及进行用于固化所述环氧模塑混合物的后固化。

5.权利要求4所述的方法，其中进行所述后固化包括在100℃至200℃的温度下固化所述液化的涂布层或所述环氧模塑混合物。

6.权利要求2所述的方法，其中进行所述后固化包括在100℃至200℃的温度下固化所述液化的涂布层。

7.权利要求1所述的方法，其中所述涂布液的粘度为10000cP至300000cP。

8.权利要求1所述的方法，其中所述散热层的热导率为1.0W/mK至4.0W/mK。

9.权利要求1所述的方法，其中用于散热的所述模塑混合物为硅基模塑混合物或环氧基模塑混合物。

10.权利要求1所述的方法，其中所述细氧化铝颗粒构成所述涂布液的60wt％至90wt％。

11.权利要求1所述的方法，其中所述细氧化铝颗粒的尺寸为3μm至70μm。

12.权利要求1所述的方法，其中所述散热层的面积是5mm至10mm乘以10mm至40mm，所述散热层的厚度为0.5mm至3.0mm。

13.一种制造散热半导体芯片封装件的方法，所述方法包括：

准备半导体芯片，所述半导体芯片具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；

将所述半导体芯片的所述第一表面附接到绝缘膜上；

在所述半导体芯片的第二表面上进行涂布以形成直接接触所述半导体芯片的所述第二表面的涂布层；以及

对所述涂布层进行第一热处理以形成散热层，

对所述散热层进行第二热处理以增加所述半导体芯片和所述散热层之间的粘附强度，

其中第二热处理的时间长于第一热处理的时间。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述散热层包括氧化铝颗粒。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述氧化铝颗粒占所述散热层的60wt％至90wt％。