[发明专利]散热半导体芯片封装件及其制造方法在审
申请号: | 201510212043.0 | 申请日: | 2015-04-29 |
公开(公告)号: | CN105206535A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 金朝汉;朴喜津;金庆洙;李在珍 | 申请(专利权)人: | 美格纳半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/373 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;董文国 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 散热 半导体 芯片 封装 及其 制造 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年6月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2014-0077400号的权益,其全部公开内容通过引用并入本文中用于所有目的。
技术领域
下面的描述涉及散热半导体芯片封装技术。下面的描述还涉及低成本的半导体芯片封装件以及使用液化涂布液来制造该半导体芯片封装件的方法。
背景技术
包括液晶显示器的设备,例如笔记本电脑、平板电脑、或智能手机,为实现高分辨率显示而使用高集成度的晶体管。由于在驱动液晶显示器时高集成度的晶体管产生高热量,所以高集成度晶体管使用减少发热的技术。现在,在有机发光二极管(OLED)电视或超高清(UHD)LED电视中使用的关键晶体管芯片的这种发热问题正在提出对这类显示技术的设计上的问题。此外,显示屏的尺寸越大,例如50英寸以上,会呈现越多的发热问题。
例如,由于分辨率的水平值和垂直的增加,对于给定的显示器框,需要处理多于两倍的像素,所以超高清LED电视比现有的全高清分辨率电视显示器产生更多的热量,并因此这类设备的图像数据处理速度必须比现有技术的速度快两倍以上。
因此,由于来自内部部件的放热使电视过热,会发生例如屏幕上显示不出图像或显示雪花的故障。例如,这种放热会发生在显示器驱动集成电路(IC)内,其中显示器驱动IC控制超高清LED电视面板的颜色和图像质量以实现屏幕显示。因此,正在实现释放显示器驱动IC的热量的用于实现散热效果的方法。使用绝缘带使得在显示器驱动IC上包括散热层以释放多余热量的技术占传统技术的大多数。但是,使用绝缘带形成散热层的方法不能很好地适用于例如上述的产生高热量的超高清LED电视的设备。同时,因为还使用了发生费用的用来添加散热层的绝缘带,所以制造成本增加。
某些技术涉及半导体封装件的散热结构,其中散热元件可安装在半导体封装件内以将内部热量散至外部。
发明内容
提供本发明内容来以简化的形式介绍在下面的具体实施方式中进一步描述的一组精选概念。本发明内容既无意于确定所要求保护的主题的关键特征和基本特征,也无意于帮助用来确定所要求保护主题的范围。
实施例提供一种半导体芯片封装件及其制造方法,使其能够通过简单的制造工艺及廉价的制造成本制造。
实施例提供一种半导体芯片封装件及其制造方法,其能够形成直接接触半导体芯片的散热层。
实施例提供一种半导体芯片封装件及其制造方法,其能够形成直接接触半导体芯片的散热层,以为使用高度集成电路电子产品的提供稳定性。
在一个一般性方面,一种制造散热半导体芯片封装件的方法包括:将半导体芯片的第一表面附接到绝缘膜上,将涂布液注入到半导体芯片的第二表面上以形成液化涂布层,以及使所述液化涂布层固化以形成散热层,其中所述涂布液包括用于散热的液化模塑混合物和细的氧化铝颗粒。
使所述涂布层固化包括进行预固化和进行后固化。
使半导体芯片的第一表面附接至绝缘膜上还包括将环氧模塑混合物填充至绝缘膜和半导体芯片之间的空间中。
填充环氧模塑混合物还包括进行用于固化环氧模塑混合物的预固化以及进行用于固化所述环氧模塑混合物的后固化。
进行后固化可包括在100℃至200℃的温度下固化该液化的涂布层或环氧模塑混合物。
进行后固化可包括在100℃至200℃的温度下固化该液化的涂布层。
涂布液的粘度可为10000cP至300000cP。
散热层的热导率可为1.0W/mK至4.0W/mK。
用于散热的模塑混合物可以为硅基模塑混合物或环氧基模塑混合物。
细氧化铝颗粒可构成涂布液的60wt%至90wt%。
细氧化铝颗粒的尺寸可为3μm至70μm。
散热层的面积是5mm至10mm乘以10mm至40mm,且所述散热层的厚度为0.5mm至3.0mm。
在另一个一般性方面,一种散热半导体器件封装件,包括附接至绝缘膜上的半导体芯片的第一表面,注入到半导体芯片的第二表面上的涂布液以形成液化的涂布层;以及散热层,其通过固化所述液化的涂布层而形成,其中涂布液包括用于散热的液化的模塑混合物和细氧化铝颗粒。
固化涂布层可包括进行预固化和进行后固化。
将半导体芯片的第一表面附接至绝缘膜上还可包括将环氧模塑混合物填充至绝缘膜和半导体芯片之间的空间中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造