[发明专利]存储装置及其控制方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求2014年7月11日提交的编号为2014-143683的日本专利申请的优先权益，该申请的全部内容通过引用的方式在此纳入。

技术领域

此处描述的实施例一般地涉及存储装置及其控制方法。

背景技术

在相关技术中，为了实现大数据容量和高速数据访问，通过磁存储单元和诸如NAND闪存之类的半导体存储单元来配置混合驱动器。一类混合驱动器使用半导体存储单元作为磁存储单元的高速缓冲存储器。

发明内容

示例性实施例提供了一种针对来自主机的读取请求提高响应速度的存储装置及其控制方法。

一般而言，根据一个实施例，存储装置包括：磁存储单元，其存储数据；半导体存储单元，诸如NAND存储器或闪存；以及控制器，其被配置为基于数据的访问历史，判定是否控制所述半导体存储单元以存储一部分数据，以及根据所述判定，控制所述半导体存储单元以存储该部分数据。

附图说明

图1是根据第一实施例的存储装置的框图。

图2示出根据第一实施例的存储装置的缓存信息存储单元的表结构。

图3示出根据第一实施例的存储装置的缓存属性存储单元的表结构。

图4是在根据第一实施例的存储装置的CPU执行控制程序时产生的要素的框图。

图5是针对根据第一实施例的存储装置的NAND存储器的缓存处理的流程图。

图6是根据第一实施例的存储装置中的数据读取处理的流程图。

图7示出根据第二实施例的存储装置的缓存信息存储单元的表结构。

图8示出针对根据第二实施例的存储装置的磁介质的每个状态，在通过头寻道之前执行的操作。

图9示出针对根据第二实施例的存储装置的磁介质的每个状态，在数据读取之前的时间段。

具体实施方式

(第一实施例)

图1是根据第一实施例的存储装置的框图。如图1所示，存储装置100包括主机I/F101、缓冲器102、第一信号处理单元103、NAND存储器104、第二信号处理单元105、头106、磁记录介质107、读写通道108、VCM109、主轴电动机110、驱动器IC111、主控制器112和闪存113。

此外，在从磁记录介质107读取数据之前，开始从NAND存储器104读取数据。例如，即使在磁记录介质107正以固定旋转的方式旋转时，寻道时间(头106的移动时间)和旋转延迟时间也是必要的，直到数据被从磁记录介质107读取。与之相反，由于寻道时间和旋转延迟时间对于NAND存储器104而言不是必要的，因此可以立即开始从NAND存储器104读取数据。

主机I/F101执行与主机(未示出)兼容接口的标准对应的处理。例如，主机I/F101将从主机接收到的命令、数据等输出到HDC121。此外，主机I/F101将从NAND存储器104或磁记录介质107读取的数据、来自HDC121或CPU122等的响应发送到主机。

缓冲器102临时存储由NAND控制器142从主机接收到的数据，直到该数据被存储在NAND存储器104中。另外，缓冲器102临时存储从NAND存储器104读取的数据，直到该数据被发送到主机。此外，缓冲器102临时存储从磁记录介质107读取的数据，直到该数据被发送到主机，或者被存储在NAND存储器104中。缓冲器102例如由诸如静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)之类的通用存储器来配置。

第一信号处理单元103针对从缓冲器102接收到的数据以及要被写入NAND存储器104的数据执行转换处理。该转换处理例如包括DA转换、编码处理等。另外，第一信号处理单元103针对从NAND存储器104读取的信号执行转换处理。该转换处理例如包括AD转换、解码处理等。

第二信号处理单元105针对要被写入磁记录介质107的数据执行转换处理。该转换处理例如包括DA转换、编码处理等。另外，第二信号处理单元105针对从磁记录介质107读取的信号执行转换处理。该转换处理例如包括AD转换、解码处理等。此外，第二信号处理单元105可对头106所读取的信号执行检测或放大。

头106对磁记录介质107写入数据。此外，头106从磁记录介质107读取数据。

音圈电动机(VCM)109被用于头106相对于磁记录介质107的定位控制。

磁记录介质107是多个磁盘，每个磁盘都能读取和写入数据。主轴电动机110使多个磁盘旋转。