[发明专利]一种离子注入损伤深度的测试方法

权利要求书

1.一种离子注入损伤深度的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01：提供一硅片衬底，在所述硅片衬底上生长一层氮化硅薄膜，然后对所述氮化硅薄膜进行紫外线照射，使所述氮化硅薄膜获得高应力；

步骤S02：对所述氮化硅薄膜进行离子注入，使所述氮化硅薄膜的应力得到释放，并测得所述氮化硅薄膜的初始厚度；

步骤S03：采用湿法工艺对所述氮化硅薄膜进行若干次一定时间的刻蚀，并在每次刻蚀后测得所述氮化硅薄膜的厚度，得出每次刻蚀后的氮化硅损耗；

步骤S04：将每次刻蚀后的氮化硅损耗与本征氮化硅损耗进行对比，当某次刻蚀后二者的差异落入一差异率限值内时，则停止后续刻蚀，并对该次前各次的氮化硅损耗进行加和，计算出总的氮化硅损耗量，该总的氮化硅损耗量即为所述氮化硅薄膜被离子注入损伤的深度值。

2.根据权利要求1所述的离子注入损伤深度的测试方法，其特征在于，步骤S01中，采用等离子化学汽相淀积生长所述氮化硅薄膜。

3.根据权利要求1所述的离子注入损伤深度的测试方法，其特征在于，步骤S02中，采用一定剂量和能量的Si离子或N离子等离子体，对所述氮化硅薄膜进行离子注入。

4.根据权利要求1所述的离子注入损伤深度的测试方法，其特征在于，步骤S03中，采用DHF或磷酸溶液对所述氮化硅薄膜进行湿法刻蚀。

5.根据权利要求1所述的离子注入损伤深度的测试方法，其特征在于，步骤S03中，每次的刻蚀时间相同。

6.根据权利要求1、4或5所述的离子注入损伤深度的测试方法，其特征在于，步骤S03中，每次的刻蚀时间为2～20秒。

7.根据权利要求1所述的离子注入损伤深度的测试方法，其特征在于，采用椭偏仪测得所述氮化硅薄膜的厚度。

8.根据权利要求1所述的离子注入损伤深度的测试方法，其特征在于，还包括步骤S05：变换离子注入能量，并重复步骤S01～S05，得到所述氮化硅薄膜在不同离子注入能量时所对应的总的氮化硅损耗量，建立不同离子注入能量在所述氮化硅薄膜中的对应注入深度关系模型。

9.根据权利要求1所述的离子注入损伤深度的测试方法，其特征在于，步骤S04中，所述差异率限值为小于等于5％。

10.根据权利要求4所述的离子注入损伤深度的测试方法，其特征在于，所述DHF溶液的稀释配比为200：1。