[发明专利]用于处理基板的系统和方法

权利要求书

1.一种基板处理系统，其特征在于，包括：

处理腔室，所述处理腔室包括具有开放顶部的壳体和从外部密闭地密封所述壳体的顶部的介质窗；

内衬，所述内衬设置在壳体内表面并且可以替换；

支撑单元，所述支撑单元设置在所述处理腔室中以支撑基板；

气体供应单元，所述气体供应单元将处理气体供应到所述处理腔室中；

等离子体源，所述等离子体源设置在所述处理腔室外部，以由供应到所述处理腔室的所述处理气体产生等离子体；以及

加热单元，所述加热单元加热所述介质窗，

其中所述加热单元包括：

邻近所述介质窗的边缘区域设置的加热器；

设置在所述介质窗的一个表面上的导热层，所述导热层允许提供给所述介质窗边缘区域的热能被传递到所述介质窗的中央区域；以及

设置在所述导热层的顶表面上的绝缘层，所述绝缘层防止流经所述导热层的热量向远离所述介质窗的方向排出，

其中，所述导热层由热导率高于所述介质窗的材料形成，且所述绝缘层由热导率低于所述导热层的材料形成。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述导热层设置在所述介质窗的顶表面上。

3.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述加热器设置为加热所述介质窗的边缘区域。

4.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述等离子体源设置在所述介质窗上。

5.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述等离子体源包括天线，并且所述基板处理系统还包括：

天线室，所述天线室设置在所述处理腔室上以容纳所述天线；以及

冷却构件，所述冷却构件将冷却气体供应到所述天线室中。

6.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述导热层包含含石墨烯的材料。

7.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述绝缘层包含硅酸钠。

8.一种处理基板的方法，其特征在于，包括：将处理气体供应到处理腔室中，所述处理腔室具有顶部开放的壳体和介质窗；将电功率施加到设置在所述处理腔室外部的天线，以由在所述处理腔室中的所述处理气体产生等离子体，然后用所述等离子体处理基板；

其中，所述方法还包括：在所述基板的处理之前或期间，加热所述介质窗，以及

使用热能执行所述介质窗的加热，所述热能由加热器产生且从所述加热器供应到所述介质窗的边缘部分，并且所述热能的一部分通过与所述介质窗接触的导热层传递到所述介质窗的整个区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述导热层设置在所述介质窗的顶表面上，且加热单元还包括设置在所述导热层的顶表面上的绝缘层。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述导热层由热导率高于所述介质窗的材料形成。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述导热层由热导率高于所述介质窗的材料形成，且所述绝缘层由热导率低于所述导热层的材料形成。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述加热器设置为加热所述导热层的边缘区域。