[发明专利]用于处理基板的系统和方法

说明书

提供一种用于处理基板的系统和方法。所述基板处理系统可包括处理腔室，所述处理腔室包括具有开放顶部的壳体和从外部密闭地密封所述壳体的顶部的介质窗；支撑单元，所述支撑单元设置在所述处理腔室中以支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将处理气体供应到所述处理腔室；等离子体源，所述等离子体源设置在所述处理腔室外部，以由供应到所述处理腔室中的处理气体产生等离子体；以及加热单元，所述加热单元加热所述介质窗，加热单元可包括加热器和设置在所述介质窗的一个表面上的导热层。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及基板处理系统，尤其涉及使用等离子体来处理基板的系统。

背景技术

通常，执行等离子体处理工艺来制作半导体器件和平板显示器。例如，在沉积、清洗、灰化或刻蚀工艺期间，由供应气体产生的等离子体可用来在等离子体处理腔室中处理半导体基板。等离子体可由多个来源之一产生，所述来源例如，电容性耦合等离子体(CCP)源和电感耦合等离子体(ICP)源。

在ICP系统中，介质窗可用作高频功率的传递路径。

介质窗设置在处理腔室的顶壁上，并且在介质窗上可设置天线。介质窗可在等离子体工艺期间由加热器加热。通常，加热器可包括由金属材料制成的加热管线。在加热器设置在介质窗的整个顶部区域的情况下，能够加热介质窗的整个区域，但这可能导致电磁波与加热管线之间的电磁干扰，该电磁波易于从天线到介质窗产生。为了避免该技术问题，加热器可通常设置在介质窗的边缘区域上，但这可能导致介质窗的中央区域和边缘区域之间的温差。

发明内容

本发明构思的示例性实施例提供一种构造为对介质窗的整个区域均匀地提供热量的基板处理系统和利用该系统处理基板的方法。

同时，本发明构思的其它示例性实施例提供一种防止为介质窗提供的热量排到外部的基板处理系统和利用该系统处理基板的方法。

本发明构思的示例性实施例提供一种基板处理系统。

根据本发明构思的示例性实施例，基板处理系统可包括处理腔室，所述处理腔室包括具有开放顶部的壳体和从外部密闭地密封所述壳体的顶部的介质窗；支撑单元，所述支撑单元设置在所述处理腔室中以支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将处理气体供应到所述处理腔室中；等离子体源，所述等离子体源设置在所述处理腔室外部，以由供应到所述处理腔室中的所述处理气体产生等离子体；以及加热单元，所述加热单元加热所述介质窗，所述加热单元可包括加热器以及设置在所述介质窗一个表面上的导热层。

在示例性实施例中，所述导热层可设置在所述介质窗的顶表面上。

在示例性实施例中，所述加热单元还可包括设置在所述导热层的顶表面上的绝缘层。

在示例性实施例中，所述导热层可由热导率高于所述介质窗的材料形成。

在示例性实施例中，所述导热层可由热导率高于所述介质窗的材料形成，且所述绝缘层可由热导率低于所述导热层的材料形成。

在示例性实施例中，所述加热器可设置为加热所述介质窗的边缘区域。

在示例性实施例中，所述等离子体源可设置在所述介质窗上。

在示例性实施例中，所述等离子体源可包括天线，并且所述基板处理系统还可包括：天线室，所述天线室设置在所述处理腔室上以容纳所述天线，以及冷却构件，所述冷却构件将冷却气体供应到所述天线室中。

在示例性实施例中，所述导热层可包含含石墨烯的材料。

在示例性实施例中，所述绝缘层可包含硅酸钠。

本发明构思的示例性实施例提供一种处理基板的方法。