[发明专利]钼铝钼金属膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510224572.2 | 申请日： | 2015-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN104818466A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 池京容;郑建万;任伏军;石国强;王余刚 | 申请（专利权）人： | 深圳南玻伟光导电膜有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钼铝钼 金属膜 制备 方法 | ||
1.一种钼铝钼金属膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基底并对所述基底进行预处理；
在通入工作气体和反应气体的条件下，在磁控反应溅射镀膜腔室内利用磁控反应溅射在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层，其中，所述磁控反应溅射的靶材为钼靶，所述工作气体为惰性气体，所述反应气体为氮气；以及
在真空度为0.1Pa～10Pa的条件下，在磁控溅射镀膜腔室内利用磁控溅射在所述氮化钼层上依次沉积铝层和钼层，形成依次层叠的氮化钼层、铝层和钼层。
2.根据权利要求1所述的钼铝钼金属膜的制备方法，其特征在于，所述基底为玻璃基底。
3.根据权利要求1所述的钼铝钼金属膜的制备方法，其特征在于，所述对所述基底进行预处理的操作为：对所述基底进行过UV、AP离子源清洗。
4.根据权利要求1所述的钼铝钼金属膜的制备方法，其特征在于，所述在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层的操作中，所述工作气体与所述反应气体的体积比为150～220：50～100。
5.根据权利要求1或5所述的钼铝钼金属膜的制备方法，其特征在于，所述在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层的操作中，所述工作气体的流量为150sccm～220sccm，所述反应气体的流量为50sccm～100sccm。
6.根据权利要求1所述的钼铝钼金属膜的制备方法，其特征在于，所述在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层的操作中，所述氮化钼层的材料为MoNx，2/3≤x<3。
7.根据权利要求1所述的钼铝钼金属膜的制备方法，其特征在于，所述在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层的操作中，所述氮化钼层的厚度为40nm～60nm。
8.根据权利要求1所述的钼铝钼金属膜的制备方法，其特征在于，所述在所述氮化钼层上依次沉积铝层和钼层的操作中，所述铝层的厚度为230nm～270nm。
9.根据权利要求1所述的钼铝钼金属膜的制备方法，其特征在于，所述在所述氮化钼层上依次沉积铝层和钼层的操作中，所述钼层的厚度为40nm～60nm。
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