[发明专利]钼铝钼金属膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及真空镀膜领域，尤其涉及一种钼铝钼金属膜的制备方法。

背景技术

目前制作单面OGS(one glass solution)产品主要是使用ITO搭桥，但随着产品尺寸的逐渐变大，单面大尺寸OGS在使用ITO搭桥时，线电阻较大，可能会超出IC的驱动能力，且制程复杂，制备价格高。而使用金属桥结构代替ITO搭桥的OGS可以实现降低成本，简化制程。

现有工艺制备的钼铝钼(MT)金属膜的反射率较高，当反射率大于35％时，会由于桥点明显从而制约了金属桥结构的OGS产品发展。因此，开发低反射率的金属膜制备工艺有着重要意义，开发低反射率金属膜是开发金属桥结构OGS代替ITO搭桥的OGS的必需过程。

发明内容

基于此，有必要提供一种反射率较低的钼铝钼金属膜的制备方法。

一种钼铝钼金属膜的制备方法，包括如下步骤：

提供基底并对所述基底进行预处理；

在通入工作气体和反应气体的条件下，在磁控反应溅射镀膜腔室内利用磁控反应溅射在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层，其中，所述磁控反应溅射的靶材为钼靶，所述工作气体为惰性气体，所述反应气体为氮气；以及

在真空度为0.1Pa～10Pa的条件下，在磁控溅射镀膜腔室内利用磁控溅射在所述氮化钼层上依次沉积铝层和钼层，形成依次层叠的氮化钼层、铝层和钼层。

在一个实施例中，所述基底为玻璃基底。

在一个实施例中，所述对所述基底进行预处理的操作为：对所述基底进行过UV、AP离子源清洗。

在一个实施例中，所述在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层的操作中，所述工作气体与所述反应气体的体积比为150～220：50～100。

在一个实施例中，所述在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层的操作中，所述工作气体的流量为150sccm～220sccm，所述反应气体的流量为50sccm～100sccm。

在一个实施例中，所述在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层的操作中，所述氮化钼层的材料为MoN_x，2/3≤x<3。

在一个实施例中，所述在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层的操作中，所述氮化钼层的厚度为40nm～60nm。

在一个实施例中，所述在所述氮化钼层上依次沉积铝层和钼层的操作中，所述铝层的厚度为230nm～270nm。

在一个实施例中，所述在所述氮化钼层上依次沉积铝层和钼层的操作中，所述钼层的厚度为40nm～60nm。

这种钼铝钼金属膜的制备方法在工作气体和反应气体均存在的条件下，在基底上磁控反应溅射形成氮化钼层，接着在氮化钼层上依次形成铝层和钼层。相对于传统的钼铝钼金属膜的制备方法，这种钼铝钼金属膜的制备方法制得的钼铝钼金属膜中，氮化钼层相对于钼层金属性降低，从而降低了整体的消光系数、减少反射光能，调节进入氮化钼层的吸收光能和透射光能，使铝层的反射光和氮化钼层的反射光在基底表面形成干涉相消从而降低反射率。相对于传统的钼铝钼金属膜的制备方法，这种钼铝钼金属膜的制备方法制得的钼铝钼金属膜的反射率较低。

附图说明

图1为一实施方式的钼铝钼金属膜的制备方法的流程图；

图2为实施例1制得的钼铝钼金属膜在550nm对应反射率降低至小于10％的反射率图谱曲线。

具体实施方式

下面主要结合附图对钼铝钼金属膜的制备方法作进一步详细的说明。

如图1所示的一实施方式的钼铝钼金属膜的制备方法，包括如下步骤：

S10、提供基底并对基底进行预处理。

基底一般选择玻璃基底，具体的可以为0.4mm、0.55mm、0.7mm厚度的苏打、龙迹或康宁等触摸屏用玻璃。

对基底进行预处理的操作为：对基底进行过UV、AP离子源清洗预处理。

S20、在通入工作气体和反应气体的条件下，在磁控反应溅射镀膜腔室内利用磁控反应溅射在预处理过的基底上沉积氮化钼层。

S20中，磁控反应溅射的靶材为钼靶，工作气体为惰性气体，反应气体为氮气，磁控溅射的功率5.8kw。

具体的，工作气体为氦气、氖气、氩气、氪气或氙气。

氮气和惰性气体的混合气体氛围中，工作气体与反应气体的体积比为150～220：50～100。在一个具体的实施例中，工作气体的流量为150sccm～220sccm，反应气体的流量为50sccm～100sccm。