[发明专利]一种ZnO晶须及基于水热技术制备ZnO晶须的方法有效
申请号: | 201510224854.2 | 申请日: | 2015-05-05 |
公开(公告)号: | CN104831354B | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 高国;钱晓庆;崔大祥 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B29/62;C30B7/10 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人: | 蒋亮珠 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 zno 基于 技术 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种ZnO晶须的制备方法,尤其是涉及一种ZnO晶须及基于水热技术制备ZnO晶须的方法。
背景技术
我国锌资源丰富,地质储量居世界第一位,但售锌产品主要以低廉价格的硝酸锌、硫酸锌、氯化锌和普通氧化锌等为主,而性能优良、高附加值的ZnO晶须产品至今尚未得到大规模工业化应用。近年来,由于市场竞争的冲击和科学技术的推动,传统锌冶金企业正经历着一场重大变革,国内诸多锌冶金企业的战略方法也发生很大转变,从20世纪50~60年代的“规模效益第一”,经过70~80年代“价格竞争第一”和“质量竞争第一”,发展到现在的“市场响应速度第一”。因此,如何在传统锌冶金生产中引入快速响应纳米制造技术,对我国锌冶金产品制造企业而言是必要和迫切的,对促进我国锌资源的增值利用具有重要的意义。
ZnO是一种宽禁带宽(3.3eV)的半导体材料,ZnO晶须原子结构排列高度有序,内部缺陷较少,其强度和模量均接近其完整晶体材料的理论值,是一种力学性能十分优异的复合材料补强增韧剂。ZnO晶须主要作为一种增强剂,譬如用在橡胶工业,可提高其强度、韧性、硬度、耐热性、耐磨性、耐腐蚀性和触变性等,还可具有导电、绝缘、抗静电、减振、阻尼、隔音、吸波、防滑、阻燃等多种功能。目前ZnO晶须的主要制备方法是热蒸发方法,该方法主要以锌粉为原料,在1000-1300℃反应温度下,通过对氮气流量、反应温度、反应时间等工艺参数的调控,制备ZnO晶须产品。虽然该方法制备ZnO晶须产率较高(>85%),但存在制备能源消耗大、设备要求苛刻、工艺流程复杂、产率偏低,生产难以形成规模,不适合在补强增韧剂等复合材料领域的大规模应用。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种ZnO晶须及基于水热技术制备ZnO晶须的方法。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现:
一种ZnO晶须,其特征在于,该ZnO晶须长度在50-80微米、ZnO晶须顶端呈针状、ZnO晶须长径比大于50。
一种基于水热技术制备如权利要求1所述ZnO晶须的方法,该方法包括以下步骤:
(1)分散剂预处理二价锌盐溶液工序:将二价锌盐溶液与分散剂在室温下混合;
(2)二价锌盐溶液的沉降工序:往步骤(1)得到的二价锌盐溶液中添入沉淀剂,混合均匀,调节混合溶液的pH值为8~11,得到前驱体溶液;
(3)前驱体的水热反应工序:将步骤(2)生成的前驱体溶液直接转入水热反应装置中,在150-260℃水热反应5-15小时;
(4)产物的洗涤及干燥工序:将步骤(3)中水热反应后得到的产物进行分离、洗涤、干燥后,得到ZnO晶须产品。
所述的二价锌盐选自Zn(NO3)2·6H2O、ZnSO4·7H2O和ZnCl2中的一种或几种。
步骤(1)中在室温下混合的温度为25℃,混合的搅拌转速为700~1000转/min。
所述的分散剂选自十二烷基苯磺酸钠、十六烷基硫酸钠、十六烷基三甲基溴化铵、月桂酸钾和三嵌段共聚物中的一种或几种。
所述的三嵌段共聚物为F127或P123。
步骤(1)中二价锌盐与分散剂的摩尔比为100:1,其中二价锌盐溶液的浓度为0.2-0.5摩尔/升。
所述的沉淀剂选自氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸钾、碳酸铵、碳酸氢钠、碳酸氢钾和碳酸氢铵中的一种或几种,其添加量与二价锌盐溶液中的锌离子浓度比在1:1至1.5:1之间。
步骤(2)中混合的搅拌时间为0.5~1h。
步骤(4)所述的分离为过滤分离,所述的洗涤为用去离子水洗涤滤饼,所述的干燥为先用离心机将滤饼甩干,然后再用气流干燥机于100~120℃下烘干,即得到ZnO晶须产品。
与现有技术相比,本发明方法制备的ZnO晶须具有成本低、产品纯度高、形貌规则、ZnO晶须的形貌转化率可以达到95%以上、ZnO晶须长度在50-80微米、ZnO晶须顶端呈现针状特性、ZnO晶须长径比大于50、生产工艺稳定和易于大规模生产等突出优点。本发明方法主要通过对ZnO晶须前驱体的形貌结构进行精细调控,使得ZnO晶须前驱体具有单分散特性,避免出现大量具有缺陷结构特性的前驱体(缺陷结构的ZnO晶须前驱体能够阻抑ZnO晶须在一维方向的定向和持续生长),从而使得制备的ZnO晶须长度达到50~80微米,转化率达到95%以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510224854.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。