[发明专利]一种ZnO基薄膜晶体管型紫外探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510225980.X | 申请日： | 2015-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN104952967A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 潘新花;王伟豪;戴文;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;H01L31/0216;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno 薄膜晶体管 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.ZnO基薄膜晶体管型紫外探测器，其特征在于，该探测器自下而上依次有低阻Si层（1）、SiO2绝缘层（2）、ZTO沟道层（3）、纳米Al颗粒层（4）和Al电极（5）。
2.制备权利要求1所述的ZnO基薄膜晶体管型紫外探测器的方法，其特征在于包括以下步骤：
1）将Zn（NO3）2·6H2O溶解于2-甲氧基乙醇，并添加乙酰丙酮和NH3·H2O， Zn（NO3）2·6H2O、乙酰丙酮与NH3·H2O的摩尔比为1:1:3，室温下搅拌至少12 h，获得A溶液；
将SnCl2·2H2O和NH4NO3溶解于2-甲氧基乙醇，并添加乙酰丙酮和NH3·H2O， SnCl2·2H2O、NH4NO3、乙酰丙酮与NH3·H2O的摩尔比为1:1: 1:1.5，室温下搅拌至少12 h，获得B溶液；
用孔径为0.21 μm的尼龙滤头分别对A溶液和B溶液进行过滤，再将过滤后的两滤液按Zn:Sn摩尔比为x:1-x混合，x=0.3～0.5，将混合溶液超声至少5次，每次20～30 min，陈化12～24 h后得到ZnxSn（1-x）O前驱体，x=0.3～0.5；
2）在洁净的电阻率为0.001～0.005 Ω·cm的低阻Si片（1）上制备厚度为150～300 nm的SiO2绝缘层（2），再在SiO2绝缘层（2）上旋涂步骤1）的ZnxSn（1-x）O前驱体，转速为3500～4500 r/min，旋涂35 s，旋涂后在200～400 ℃退火30 min，旋涂并退火若干次后在SiO2绝缘层（2）上获得厚度为20～80 nm的ZTO沟道层（3）；
3）将步骤2）处理后的样品放入热蒸发设备中，抽真空至2×10-4 Pa，以纯度为99.999%的Al颗粒为蒸发源，在ZTO沟道层（3）上蒸镀厚度为1～10 nm的纳米Al颗粒层（4）；
4）在上述的纳米Al颗粒层（4）上蒸镀厚度为70～100 nm的Al电极（5），获得ZnO基薄膜晶体管型紫外探测器。
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