[发明专利]一种三维集成电路器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种三维集成电路器件结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤A，提供底层；

步骤B，在所述底层形成一非晶形半导体层，对所述非晶形半导体层进行金属诱导侧面晶体化处理，并据此制作第一电子电路元件层；

步骤C，在第i电子电路元件层上形成一钝化氧化层，在所述钝化氧化层上制作第i+1电子电路元件层；其中，i为自然数且初始值为1；

步骤D，将所述第i+1电子电路元件层中的每一电子电路元件电连接至所述之前形成的所有电子电路元件层的相应电子电路元件；

步骤E，以i的步长为1的方式重复执行步骤B至步骤D，直至制作出目标层数的集成电路。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤B具体包括：

步骤B1，在所述底层上形成一非晶形半导体层；

步骤B2，除去部分所述的非晶形半导体层，在预定位置形成若干硅岛；

步骤B3，对每个硅岛执行金属诱导侧面晶体化处理，使每个硅岛形成独立的半导体晶体；

步骤B4，在所述半导体晶体上制作至少一个电子电路元件。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤B2具体包括：

在所述非晶形半导体层的预定位置去除预定规格的非晶形半导体，以形成若干沟槽，所述沟槽之间的部分即为硅岛。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤B2还包括在每一条所述沟槽上淀积金属形成若干金属带的过程，所述金属带连接所述非晶形半导体，所述若干金属带形成金属带区；

步骤B3中，所述金属诱导侧面晶体化处理过程包括：

第一退火阶段，在设定的第一退火温度和第一退火时间内，凭借每条金属带在每一金属带区的决定区域的单边形成一独立的半导体晶体；

第二退火阶段，包括第二退火温度和第二退火时间，所述第二退火温度高于所述第一退火温度，所述第二退火时间短于所述第一退火时间。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述金属带的长度小于所需制作的半导体晶体的宽度。

6.一种三维集成电路器件结构，其特征在于，所述三维集成电路器件结构是由权利要求1至5中任一项所述的方法制成的。