[发明专利]TFT基板的制作方法及其结构

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上沉积第一金属层，并通过一道光刻制程图案化该第一金属层，形成间隔设置的第一栅极(21)、及第二栅极(23)；

步骤2、在所述第一栅极(21)、第二栅极(23)、及基板(1)上沉积栅极绝缘层(3)；

步骤3、在所述栅极绝缘层(3)上沉积一半导体层，并通过一道光刻制程对该半导体层进行图案化，形成依次排列且相互连接的第一半导体(41)、连接半导体(42)、及第二半导体(43)；

所述第一半导体(41)对应位于所述第一栅极(21)的上方，所述第二半导体(43)对应位于所述第二栅极(23)的上方、所述连接半导体(42)位于所述第一半导体(41)与第二半导体(43)之间；

步骤4、在所述半导体层上沉积一刻蚀阻挡层(5)，并通过一道光刻制程在该刻蚀阻挡层(5)上形成间隔设置的第一通孔(51)、第二通孔(52)、及第三通孔(53)；

所述第一通孔(51)、第二通孔(52)、及第三通孔(53)分别暴露出第一半导体(41)相对远离连接半导体(42)的一端、连接半导体(42)、及第二半导体(43)相对远离连接半导体(42)的一端；

步骤5、以所述刻蚀阻挡层(5)为遮挡层，分别经由所述第一通孔(51)、第二通孔(52)、及第三通孔(53)对所述第一半导体(41)相对远离连接半导体(42)的一端、连接半导体(42)、及第二半导体(43)相对远离连接半导体(42)的一端进行N型重掺杂，从而在所述第一半导体(41)上形成第一源极接触区(412)与第一沟道区(414)，在所述第二半导体(43)上形成第二沟道区(432)与第二漏极接触区(434)，所述连接半导体(42)的两端分别连接第一沟道区(414)与第二沟道区(432)；

其中，所述第一源极接触区(412)、连接半导体(42)、及第二漏极接触区(434)均为N型重掺杂区域；

步骤6、在所述刻蚀阻挡层(5)上沉积第二金属层，并通过一道光刻制程图案化该第二金属层，形成间隔设置的第一源极(61)、及第二漏极(62)；

所述第一源极(61)通过第一通孔(51)与第一源极接触区(412)相接触；所述第二漏极(62)通过第三通孔(53)与第二漏极接触区(434)相接触；

所述第一栅极(21)、第一半导体(41)、第一源极(61)、及经过N型重掺杂的连接半导体(42)构成第一TFT；所述第二栅极(23)、第二半导体(43)、经过N型重掺杂的连接半导体(42)、及第二漏极(62)构成第二TFT；所述第一TFT与第二TFT由经过N型重掺杂的连接半导体(42)串联起来；

所述第一TFT与第二TFT设于数据线和供电压线之间用于构成像素补偿电路。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1采用物理气相沉积法沉积所述第一金属层，所述第一金属层的材料为铜、铝、或钼，所述步骤1中的光刻制程包括涂光阻、曝光、显影、湿蚀刻、及去光阻制程；所述步骤2采用等离子增强化学气相沉积法沉积所述该栅极绝缘层(3)，所述栅极绝缘层(3)的材料为氧化硅或氮化硅。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3采用物理气相沉积法沉积所述半导体层，所述半导体层的材料为金属氧化物，所述步骤3中的光刻制程包括涂光阻、曝光、显影、湿蚀刻、及去光阻制程。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4采用化学气相沉积法沉积所述刻蚀阻挡层(5)，所述刻蚀阻挡层(5)的材料为氧化硅或氮化硅，所述步骤4中的光刻制程包括涂光阻、曝光、显影、干蚀刻、及去光阻制程；所述步骤5采用氢气等离子处理工艺对所述第一半导体(41)相对远离连接半导体(42)的一端、连接半导体(42)、及第二半导体(43)相对远离连接半导体(42)的一端进行N型重掺杂。

5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤6采用物理气相沉积法沉积所述第二金属层，所述第二金属层的材料为铜、铝、或钼，所述步骤6中的光刻制程包括涂光阻、曝光、显影、湿蚀刻、及去光阻制程。