[发明专利]TFT基板的制作方法及其结构

说明书

本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构。该TFT基板的制作方法采用设置于半导体层且经过N型重掺杂的连接半导体(42)连接第一半导体(41)与第二半导体(43)，从而将第一TFT与第二TFT串联起来，该经过N型重掺杂的连接半导体(42)代替了现有技术中设置于第二金属层上的连接电极，避免了将连接电极与数据线、供电压线等讯号线共同设置于第二金属层所导致的连接电极与第二金属层的设计规则变小的问题，有利于提高显示面板的开口率、及分辨率。本发明还提供一种TFT基板结构，其结构简单，具有高开口率及高分辨率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及其结构。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器。其中，OLED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED按照驱动类型可分为无源OLED(PMOLED)和有源OLED(AMOLED)；其中，AMOLED器件为电流驱动，其对薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)电流的要求非常严格。所以，AMOLED产品必须采用像素补偿电路来减少整个驱动过程中由于TFT不稳定导致的电流变化。

现有的AMOLED像素补偿电路通常涉及到多个TFT串联，如图1所示的一种像素补偿电路，在数据线V_data与供电压线V_dd这两条讯号线之间串联了两个TFT：TFT1与TFT2；图2为对应图1所示的像素补偿电路的TFT基板结构，图3为图2所示的TFT基板结构中TFT组件与数据线、及供电压线的分布及连接示意图。

如图2和图3所示，所述TFT基板结构包括从下到上依次设置的基板100、第一金属层、栅极绝缘层300、半导体层、刻蚀阻挡层500、及第二金属层；所述第一金属层包括间隔设置的第一栅极210、及第二栅极230；所述半导体层包括间隔设置的第一半导体420、及第二半导体440；所述第二金属层包括间隔设置的第一源极610、连接电极620、及第二漏极630。

所述刻蚀阻挡层500上设有第一通孔510、第二通孔520、第三通孔530、及第四通孔540；所述第一源极610通过第一通孔510与所述第一半导体420的一端相接触；所述连接电极620通过第二通孔520与所述第一半导体420的另外一端相接触，同时通过第三通孔530与所述第二半导体440的一端相接触；所述第二漏极630通过第四通孔540与所述第二半导体440的另外一端相接触。

所述第一栅极210、第一半导体420、第一源极610、及连接电极620构成第一TFT；所述第二栅极230、第二半导体440、连接电极620、及第二漏极630构成第二TFT。

从图2和图3中可见，所述连接电极620同时充当第一TFT的第一漏极、以及第二TFT的第二源极，从而将第一TFT与第二TFT串联起来，然而，由于该连接电极620所在的第二金属层还分布有数据线V_data、供电压线V_dd等讯号线，使得该连接电极620的设计规则(designrule)很小，而两TFT之间再通过连接电极620桥接会导致该第二金属层的设计规则变得更小，不利于高开口率、及高分辨率的显示面板的制作。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，通过采用设置于半导体层且经过N型重掺杂的连接半导体代替现有技术中设置于第二金属层上的连接电极，避免了现有设计中将连接电极与数据线、供电压线等讯号线共同设置于第二金属层所导致的连接电极与第二金属层的设计规则变小的问题，有利于高开口率、及高分辨率的显示面板的制作。