[发明专利]用于加工半导体工件的方法和半导体工件

权利要求书

1.一种用于加工半导体工件的方法，包括：

在半导体工件上方沉积第一金属化层；

使所述第一金属化层形成图案；以及

在形成图案的第一金属化层上方沉积第二金属化层，其中沉积所述第二金属化层包括无电沉积工艺，该无电沉积工艺包括将形成图案的第一金属化层浸入金属电解质中。

2.权利要求1所述的方法，其中沉积第一金属化层包括物理气相沉积工艺。

3.权利要求1所述的方法，其中将形成图案的第一金属化层浸入金属电解质中包括：

将形成图案的第一金属化层浸入包含金属电解质的浸没浴中。

4.权利要求3所述的方法，其中所述浸没浴还包括化学还原剂。

5.权利要求1所述的方法，其中所述第一金属化层包括选自一组材料的至少一种材料，该组由以下组成：镍、镍钒、镍磷、钛、钛钨、铜。

6.权利要求1所述的方法，其中所述第二金属化层包括惰性金属。

7.权利要求1所述的方法，其中所述第二金属化层包括选自一组材料的至少一种材料，该组由以下组成：金、银、钯。

8.权利要求1所述的方法，其中在形成图案的第一金属化层上方沉积第二金属化层包括覆盖形成图案的第一金属化层的至少一个侧壁。

9.权利要求1所述的方法，其中在形成图案的第一金属化层上方沉积第二金属化层包括覆盖形成图案的第一金属化层的顶侧和侧壁。

10.权利要求1所述的方法，其中使第一金属化层形成图案包括蚀刻第一金属化层。

11.权利要求10所述的方法，其中蚀刻第一金属化层包括以湿化学方式蚀刻第一金属化层。

12.权利要求1所述的方法，还包括在所述半导体工件上方沉积第三金属化层并且使所述第三金属化层形成图案，其中在所述半导体工件上方沉积所述第一金属化层包括在所述第三金属化层上方沉积所述第一金属化层。

13.权利要求12所述的方法，其中所述第三金属化层包括选自一组材料的至少一种材料，该组由以下组成：钛、钛钨、铬、钽、氮化钛、氮化钽、铝、包括铝的合金。

14.权利要求12所述的方法，其中沉积所述第三金属化层包括物理气相沉积工艺。

15.权利要求12所述的方法，其中使所述第三金属化层形成图案包括在使所述第一金属化层形成图案之后且在沉积所述第二金属化层之前使所述第三金属化层形成图案。

16.权利要求12所述的方法，其中使所述第三金属化层形成图案包括蚀刻所述第三金属化层。

17.权利要求16所述的方法，其中蚀刻所述第三金属化层包括以湿化学方式蚀刻所述第三金属化层。

18.权利要求12所述的方法，其中沉积所述第二金属化层还包括覆盖形成图案的第三金属化层的至少一个侧壁。

19.权利要求1所述的方法，其中所述半导体工件包括接触焊盘，并且其中在所述半导体工件上方沉积第一金属化层包括在所述接触焊盘上方沉积所述第一金属化层。

20.一种用于加工半导体工件的方法，包括：

借助于物理气相沉积在半导体工件上方沉积包括至少两个金属化层的金属化层堆叠；

借助于湿化学蚀刻使所述金属化层堆叠形成图案；以及

借助于浸没沉积在形成图案的金属化层堆叠上方沉积最终金属化层。

21.权利要求20所述的方法，其中所述最终金属化层封装形成图案的金属化层堆叠。

22.权利要求20所述的方法，其中借助于湿化学蚀刻使所述金属化层堆叠形成图案包括使用不同的蚀刻化学物蚀刻所述堆叠的金属化层。

23.权利要求20所述的方法，其中所述最终金属化层包括惰性金属。

24.一种半导体工件，包括：

形成图案的第一金属化层；

覆盖所述形成图案的第一金属化层的顶侧和至少一个侧壁的第二金属化层，

其中，所述第二金属化层是借助于包括将形成图案的第一金属化层浸入金属电解质中的无电沉积工艺而形成的。