[发明专利]用于加工半导体工件的方法和半导体工件

说明书

技术领域

各种实施例涉及用于加工半导体工件的方法和半导体工件。

背景技术

在半导体器件中可能需要可焊的和/或可烧结表面，例如，作为进行到这些器件的电连接和/或从这些器件进行电连接的焊盘金属化。低表面粗糙度、高抗腐蚀性、低污染水平和/或易加工性可以在形成所述可焊的和/或可烧结表面的一种材料或多种材料中可能是期望的性质当中。

发明内容

根据各种实施例，用于加工半导体工件的方法可以包括：在半导体工件上方沉积第一金属化层；使所述第一金属化层形成图案；以及在形成图案的第一金属化层上方沉积第二金属化层，其中沉积第二金属化层包括无电沉积工艺，该无电沉积工艺包括将形成图案的第一金属化层浸入金属电解质中。

根据各种实施例，用于加工半导体工件的方法可以包括：借助于物理气相沉积在半导体工件上方沉积包括至少两个金属化层的金属化层堆叠；借助于湿化学蚀刻使所述金属化层堆叠形成图案；以及借助于浸没沉积在形成图案的金属化层堆叠上方沉积最终金属化层。

根据各种实施例，半导体工件可以包括：形成图案的第一金属化层；覆盖所述形成图案的第一金属化层的顶侧和至少一个侧壁的第二金属化层，其中所述第二金属化层是借助于包括将形成图案的第一金属化层浸入金属电解质中的无电沉积工艺而形成的。

附图说明

在图中，遍及不同的视图相同的附图标记一般地指代相同的部分。这些图不一定按比例，替代地一般将重点放在图示本发明的原理上。在以下描述中，参考以下图描述本发明的各种实施例，在图中：

图1A到1C图示了根据各种实施例的用于加工半导体工件的方法；

图2图示了根据各种实施例的用于加工半导体工件的方法；

图3图示了根据各种实施例的用于加工半导体工件的方法；

图4A到4I图示了根据各种实施例的用于加工半导体工件的方法；

图5A到5D图示了用于使用剥离（lift-off）工艺获得结构化可焊表面的常规工艺流程；以及

图6A到6D图示了用于使用湿化学蚀刻获得结构化可焊表面的常规工艺流程。

具体实施方式

以下详细描述参考通过举例说明的方式示出特定细节和可以在其中实践本发明的实施例的附图。足够详细地描述这些实施例以使得本领域技术人员能够实践本发明。在不偏离本发明的范围的情况下可以利用其他实施例并且可以做出结构的、逻辑的和电的改变。各种实施例不一定相互排斥，因为一些实施例可以与一个或多个其他实施例组合以形成新的实施例。结合方法来描述各种实施例并且结合器件来描述各种实施例。然而，可以理解的是，结合方法而描述的实施例可以类似地适用于器件，并且反之亦然。

措词“示例性”在本文中用来意指“用作示例、实例或举例说明”。在本文中描述为“示例性”的任何一个实施例或设计不一定被解释为超过其他实施例或设计的优选的或有利的。

术语“至少一个”和“一个或多个”可以被理解成包括大于或等于一的任何整数，即一、二、三、四…，等等。

术语“多个”可以被理解成包括大于或等于二的任何整数，即二、三、四、五…，等等。

在本文中用来描述“在一侧或表面上方”形成特征（例如层）的措词“在…上方”可以用来意指可以“直接在所隐含的侧或表面上”（例如与所隐含的侧或表面直接接触）形成该特征（例如该层）。在本文中用来描述“在一侧或表面上方”形成特征（例如层）的措词“在…上方”可以用来意指可以“间接地在所隐含的侧或表面上”形成该特征（例如该层），其中一个或多个附加层被布置在该隐含的侧或表面与所形成的层之间。

以相同的方式，在本文中用来描述设置在另一特征上方的特征（例如“覆盖”一侧或表面的层）的措词“覆盖”可以用来意指可以在所隐含的侧或表面上方并且与该隐含的侧或表面直接相接触地设置该特征（例如该层）。在本文中用来描述设置在另一特征上方的特征（例如“覆盖”一侧或表面的层）的措词“覆盖”可以用来意指可以在所隐含的侧或表面上方并且与该隐含的侧或表面间接相接触地设置该特征（例如该层），其中一个或多个附加层被布置在该隐含的侧或表面与该覆盖层之间。

术语“耦合”或“连接”可以被理解成包括直接“耦合”或“连接”的情况和间接“耦合”或“连接”的情况两者。